[发明专利]存储器的测试方法在审
申请号: | 201810209621.9 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108346451A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 任栋梁;钱亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/08 | 分类号: | G11C29/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试项目 存储器 判断结果 测试 合格品 测试稳定性 不合格品 产品良率 误判率 | ||
1.一种存储器的测试方法,所述存储器具有n个测试项目,n为大于等于1的整数,其特征在于,所述测试方法包括对测试项目i进行N次判断,其中,1≤i≤n,1≤N≤100,且i和N均为整数;
当i小于n时,若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格,则进入测试项目i+1的测试;当i等于n时,若对所述测试项目i的第N次判断结果为合格,则判断所述存储器为合格品;
当N小于100时,若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效,则进行对所述测试项目i的第N+1次判断;当N等于100时,若对所述测试项目i的第N次判断结果为失效,则判断所述存储器为不合格品。
2.如权利要求1所述的存储器的测试方法,其特征在于,所述测试方法在对测试项目i进行N次判断之前,还包括预先设置测试项目i的期望值。
3.如权利要求2所述的存储器的测试方法,其特征在于,所述对测试项目i进行N次判断的步骤包括:
对所述测试项目i进行第1次实际测试,得到第1次实际测得值,对所述测试项目i进行第1次判断,若所述第1次实际测得值与所述测试项目i的期望值相同,则判断所测的测试项目i为合格;否则,对所述测试项目i进行第2次判断。
4.如权利要求3所述的存储器的测试方法,其特征在于,所述期望值为数字信号。
5.如权利要求4所述的存储器的测试方法,其特征在于,所述实际测得值为数字信号。
6.如权利要求1所述的存储器的测试方法,其特征在于,通过编程的方式对测试项目i进行N次判断。
7.如权利要求6所述的存储器的测试方法,其特征在于,套用if和elseif语句进行编程。
8.如权利要求1所述的存储器的测试方法,其特征在于,所述存储器为嵌入式闪存。
9.如权利要求8所述的存储器的测试方法,其特征在于,所述测试项目包括读取测试项目、写入测试项目和擦除测试项目。
10.如权利要求9所述的存储器的测试方法,其特征在于,所述测试项目i为读取测试项目。
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