[发明专利]市电高压光控型驱动电路

权利要求书

1.一种市电高压光控型驱动电路，其特征在于，运用于市电高电压大电流以及市电突波的工作条件，该市电高压光控型驱动电路包括有：

一光控开关电路，包括有一光控晶闸管组件及一第一开关组件(Q1)，该光控开关电路输入有一驱动开关信号；该光控晶闸管组件与该第一开关组件(Q1)串联，该光控晶闸管组件有至少四个端；

一硅控整流器光控驱动电路，其输入有一市电电源，并耦接于该光控开关电路，该硅控整流器光控驱动电路包括有：

一第二受控硅控整流器开关组件(Q2)；

一第三受控硅控整流器开关组件(Q3)，该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的阴极端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的阳极端且耦接于该市电电源；

一第一二极管(D1)，该第一二极管(D1)的阴极端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的栅极端，该第一二极管(D1)的阳极端耦接于该光控晶闸管组件的第三端；

一第二二极管(D2)，该第二二极管(D2)的阴极端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的栅极端，该第二二极管(D2)的阳极端耦接于该第一二极管(D1)的阳极端；

一第三二极管(D3)，该第三二极管(D3)的阴极端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的阳极端，该第三二极管(D3)的阳极端耦接于该光控晶闸管组件的第四端；及

一第四二极管(D4)，该第四二极管(D4)的阴极端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的阳极端，该第四二极管(D4)的阳极端耦接于该第三二极管(D3)的阳极端；及

一主电路，耦接于该硅控整流器光控驱动电路，该主电路设有一A端、一B端及一市电接地端；该主电路的A端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的阴极端，该主电路的B端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的阳极端。

2.如权利要求1所述的市电高压光控型驱动电路，其特征在于，其中所述硅控整流器光控驱动电路还包括有：一第二电容(C2)及一第七电阻(R7)，该第二电容(C2)与该第七电阻(R7)并联；该第二电容(C2)的第一端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的阴极端；该第二电容(C2)的第二端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的栅极端；所述硅控整流器光控驱动电路还包括有：一第三电容(C3)及一第八电阻(R8)，该第三电容(C3)与该第八电阻(R8)并联；该第三电容(C3)的第一端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的阴极端；该第三电容(C3)的第二端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的栅极端。

3.如权利要求1所述的市电高压光控型驱动电路，其特征在于，其中所述硅控整流器光控驱动电路还包括有：一第三均压电阻(R3)及一第四均压电阻(R4)；该第三均压电阻(R3)的第一端耦接于该光控晶闸管组件的第三端；该第三均压电阻(R3)的第二端耦接于该第四均压电阻(R4)的第一端并且耦接于该光控晶闸管组件的一第五端；该第四均压电阻(R4)的第二端耦接该光控晶闸管组件的第四端。

4.如权利要求1所述的市电高压光控型驱动电路，其特征在于，其中所述硅控整流器光控驱动电路还包括有一第五电阻(R5)及一第六电阻(R6)；该第五电阻(R5)的第一端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的栅极端，该第五电阻(R5)的第二端耦接于该第一二极管(D1)的阴极端；该第六电阻(R6)的第一端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的栅极端，该第六电阻(R6)的第二端耦接于该第二二极管(D2)的阴极端。

5.如权利要求1所述的市电高压光控型驱动电路，其特征在于，其中所述光控晶闸管组件是由至少两个光控晶闸管串联所组成的，该光控晶闸管组件的第一端耦接一直流电源(VCC)；该第一开关组件(Q1)的漏极端耦接于该光控晶闸管组件的第二端，该第一开关组件(Q1)的源极端接地，该源极端的接地是与该直流电源(VCC)的地线相连接，该第一开关组件(Q1)的栅极端耦接于该驱动开关信号。