[发明专利]一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其特征在于，包含：

浅沟隔离，设于一基底内；

第一选择栅极，设于该基底内并设于该浅沟隔离的一侧；

第二选择栅极，设于该基底内并设于该浅沟隔离的另一侧；以及

栅极结构，设于该浅沟隔离、该第一选择栅极以及该第二选择栅极上。

2.如权利要求1所述的熔丝结构，其中各该第一选择栅极以及各该第二选择栅极包含：

阻障层，设于该基底内；以及

导电层，设于该阻障层上。

3.如权利要求2所述的熔丝结构，还包含硬掩模，设于各该第一选择栅极以及该第二选择栅极上。

4.如权利要求3所述的熔丝结构，其中该硬掩模上表面切齐该浅沟隔离上表面。

5.如权利要求1所述的熔丝结构，还包含掺杂区，设于该浅沟隔离以及该第一选择栅极之间。

6.如权利要求5所述的熔丝结构，其中该掺杂区下表面高于该第一选择栅极上表面。

7.如权利要求5所述的熔丝结构，其中该掺杂区包含N-掺杂区。

8.如权利要求1所述的熔丝结构，另包含间隙壁，环绕该栅极结构并位于该第一选择栅极以及该第二选择栅极上。

9.如权利要求1所述的熔丝结构，其中该栅极结构包含：

导电层，设于该基底上；

金属层，设于该导电层上；以及

硬掩模，设于该金属层上。

10.如权利要求1所述的熔丝结构，其中该栅极结构另包含：

第一栅极结构，设于部分该浅沟隔离以及该第一选择栅极上；以及

第二栅极结构，设于部分该浅沟隔离以及该第二选择栅极上。

11.一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其特征在于，包含：

浅沟隔离，设于一基底内；

第一选择栅极，设于该基底内并设于该浅沟隔离的一侧；

第二选择栅极，设于该基底内并设于该浅沟隔离的另一侧；

第一辅助栅极，设于该基底内并位于该浅沟隔离以及该第一选择栅极之间；

第二辅助栅极，设于该基底内并位于该浅沟隔离以及该第二选择栅极之间；以及

栅极结构，设于该浅沟隔离、该第一辅助栅极以及该第二辅助栅极上。

12.如权利要求11所述的熔丝结构，其中各该第一选择栅极、各该第二选择栅极、各该第一辅助栅极以及各该第二辅助栅极包含：

阻障层，设于该基底内；以及

导电层，设于该阻障层上。

13.如权利要求12所述的熔丝结构，还包含硬掩模，设于各该第一选择栅极、各该第二选择栅极、各该第一辅助栅极以及各该第二辅助栅极上。

14.如权利要求13所述的熔丝结构，其中该硬掩模上表面切齐该浅沟隔离上表面。

15.如权利要求11所述的熔丝结构，还包含掺杂区，设于该浅沟隔离以及该第一辅助栅极之间。

16.如权利要求15所述的熔丝结构，其中该掺杂区下表面高于该第一辅助栅极上表面。

17.如权利要求15所述的熔丝结构，其中该掺杂区包含N-掺杂区。

18.如权利要求11所述的熔丝结构，还包含间隙壁，环绕该栅极结构并位于该第一辅助栅极以及该第二辅助栅极上。