[发明专利]测距仪系统及对其校准并确定到外部对象的距离的方法有效
申请号: | 201810210330.1 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108732578B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 查尔斯·朱 | 申请(专利权)人: | 查尔斯·朱 |
主分类号: | G01S17/08 | 分类号: | G01S17/08;G01S7/497 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 美国加州库比蒂*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测距仪 系统 校准 确定 外部 对象 距离 方法 | ||
1.一种测距仪系统,包括:
激光器,其被配置成在测量模式下生成第一光束;
硅发光二极管(LED),其被配置成在校准模式下生成第二光束;
第一光电检测器,其中,在所述测量模式下,所述第一光电检测器被配置成检测从所述测距仪系统中的透镜反射的所述第一光束的一部分;以及
第二光电检测器,其中,在所述测量模式下,所述第二光电检测器被配置成检测从所述测距仪系统外部的对象反射的所述第一光束的一部分;
其中,在所述校准模式下,所述第一光电检测器和所述第二光电检测器二者都被配置成检测来自所述硅LED的所述第二光束;
其中,所述硅LED、所述第一光电检测器和所述第二光电检测器被集成在单个芯片上。
2.根据权利要求1所述的测距仪系统,其中,所述第一光电检测器是雪崩光电二极管,并且所述第二光电检测器是雪崩光电二极管。
3.根据权利要求1所述的测距仪系统,其中,所述第一光电检测器在所述校准模式和所述测量模式期间被高压电源反向偏置。
4.根据权利要求1所述的测距仪系统,其中,所述硅LED在所述校准模式期间被正向偏置。
5.根据权利要求1所述的测距仪系统,其中,所述硅LED在所述校准模式期间在射频(RF)范围内被反向偏置。
6.一种测距仪系统,包括:
硅发光二极管(LED),其被配置成在校准模式下生成第一光束;
激光器,其被配置成在测量模式下生成第二光束;
透镜;
第一光电检测器,其中,在所述校准模式下,所述第一光电检测器被配置成检测所述第一光束的一部分以生成第一参考信号,并且在所述测量模式下,所述第一光电检测器被配置成检测从所述透镜反射的所述第二光束的一部分以生成第二参考信号;以及
第二光电检测器,其中,在所述校准模式下,所述第二光电检测器被配置成检测所述第一光束的一部分以生成第一接收器信号,并且在所述测量模式下,所述第二光电检测器被配置成检测从所述测距仪系统外部的对象反射的所述第二光束的一部分以生成第二接收器信号;
其中,在所述校准模式下,所述第一参考信号和所述第一接收器信号被用于生成校准相位偏移,并且在所述测量模式下,基于所述第二参考信号、所述第二接收器信号和所述校准相位偏移来计算所述测距仪系统与所述对象之间的距离;
其中,所述硅LED、所述第一光电检测器和所述第二光电检测器被集成在单个芯片上。
7.根据权利要求6所述的测距仪系统,其中,所述第一光电检测器是雪崩光电二极管,并且所述第二光电检测器是雪崩光电二极管。
8.根据权利要求6所述的测距仪系统,其中,所述第一光电检测器在所述校准模式和所述测量模式期间被高压电源反向偏置。
9.根据权利要求6所述的测距仪系统,其中,所述硅LED在所述校准模式期间被正向偏置。
10.根据权利要求6所述的测距仪系统,其中,所述硅LED在所述校准模式期间在射频(RF)范围内被反向偏置。
11.根据权利要求6所述的测距仪系统,还包括:
振荡器,用于生成本地振荡器信号;
第一混频器,用于接收所述本地振荡器信号和所述第一参考信号以生成中频参考信号;以及
第二混频器,用于接收所述本地振荡器信号和所述第一接收器信号以生成中频接收器信号;
其中,所述中频参考信号和所述中频接收器信号被用于生成所述校准相位偏移。
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