[发明专利]一种支持低增益变化的宽带压控振荡器在审

专利信息
申请号: 201810212045.3 申请日: 2018-03-15
公开(公告)号: CN110277991A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 刘览琦;邹维;胡昂;杨阳;江帆;逯召静;石琴琴;张科峰 申请(专利权)人: 武汉芯泰科技有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099;H03B5/20;H03B5/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430074 湖北省武汉市东湖开*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 宽带压控振荡器 变容管 调谐增益变化 低增益 可变 变容 对管 偏置 压控振荡器输出频率 半导体集成电路 开关电容阵列 并联连接 补偿回路 电感组件
【权利要求书】:

1.一种支持低增益变化的宽带压控振荡器,其特征在于,所述宽带压控振荡器包括并联连接的电感组件(1)、开关电容阵列(2)、变容管单元(3)和补偿回路(4);

所述变容管单元(3)包括可变偏置变容管单元(31)和开关变容对管单元(32);

所述可变偏置变容管单元(31)用来调节所述宽带压控振荡器的细调谐增益变化;

所述开关变容对管单元(32)用来调节所述宽带压控振荡器的粗调谐增益变化。

2.如权利要求1所述的支持低增益变化的宽带压控振荡器,其特征在于,所述电感组件(1)采用金属层并联设计的8型电感;

所述电感组件(1)与第一开关(K1)的一端连接,所述第一开关(K1)的另一端连接第一电压源(VDD1)。

3.如权利要求1所述的支持低增益变化的宽带压控振荡器,其特征在于,所述开关电容阵列(2)通过数字控制位(Code_1~Code_n)进行控制,所述变容管单元(3)通过数字控制位(Code_n)进行控制。

4.如权利要求3所述的支持低增益变化的宽带压控振荡器,其特征在于,所述开关电容阵列(2)包括n条并联的开关电容支路,每条开关电容支路上设置有两个容值相等的I-MOS变容管,n为自然数;

每条开关电容支路上的电容通过数字控制位(Code_1~Code_n)进行通断控制,所述数字控制位的位数与所述开关电容支路的路数相等。

5.如权利要求1所述的支持低增益变化的宽带压控振荡器,其特征在于,所述可变偏置变容管单元(31)包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一变容管(Var1)、第二变容管(Var2)、第三变容管(Var3)、第四变容管(Var4);

所述第一变容管(Var1)和所述第二变容管(Var2)的一端背靠背对接,对接端连接第二电压源(VDD2);所述第一变容管(Var1)和所述第二变容管(Var2)的另一端分别连接所述第一电容(C1)和所述第二电容(C2)的一端;所述第一电容(C1)和所述第二电容(C2)的另一端分别连接所述宽带压控振荡器的两个的差分端口(VCO_P、VCO_N);

所述第三变容管(Var3)和所述第四变容管(Var4)的一端背靠背对接,对接端连接第三电压源(VDD3);所述第三变容管(Var3)的另一端连接所述第一电阻(R1)和所述第一变容管(Var1)的一端;所述第四变容管(Var4)的另一端连接所述第二电阻(R2)和所述第二变容管(Var2)的一端;所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)的另一端对接,对接端连接第四电压源(VDD4)。

6.如权利要求5所述的支持低增益变化的宽带压控振荡器,其特征在于,所述第一电容(C1)和第二电容(C2)一一对应分别与所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)组成两个RC振荡回路,用来隔直流;

所述第一电容(C1)、第二电容(C2)的电容值相等;

所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)的阻值相等。

7.如权利要求3所述的支持低增益变化的宽带压控振荡器,其特征在于,所述开关变容对管单元(32)包括第三电容(C3)、第四电容(C4)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五变容管(Var5)、第六变容管(Var6)和第二开关(K2);

所述第五变容管(Var5)和所述第六变容管(Var6)的一端背靠背对接,对接端连接第五电压源(VDD5);所述第五变容管(Var5)的另一端连接所述第三电容(C3)和所述第三电阻(R3)的一端;所述第六变容管(Var6)的另一端连接所述第四电容(C4)和所述第四电阻(R4)的一端;所述第三电阻(R3)和所述第四电阻(R4)的另一端对接,对接端连接所述第二开关(K2)的一端;所述第二开关(K2)的另一端设置有连接电压源的端口(VDD_Port);所述第三电容(C3)和所述第四电容(C4)的另一端分别连接所述宽带压控振荡器的两个的差分端口(VCO_P、VCO_N);

其中,所述第二开关(K2)通过数字控制位(Code_n)进行通断控制,n为自然数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉芯泰科技有限公司,未经武汉芯泰科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810212045.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top