[发明专利]一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法

权利要求书

1.一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法，包括以下步骤：

步骤1)磁性纳米Fe₃O₄的制备：称取FeCl₃·6H₂O 85kg和FeCl₂·4H₂O 30kg溶解到0.38m³0.40mol/L的HCl溶液中，搅拌使其充分溶解。强烈机械搅拌条件下，将上述FeCl₃、FeCl₂酸性混合液加入到3.75m³0.70mol/L氨水溶液中。机械搅拌30min后，静置沉淀，待其完全沉淀后倒出上清液，用超纯水洗涤，得到磁性纳米颗粒。将得到的磁性纳米颗粒分散于0.15m³超纯水中，取0.20m³该悬浮液，加入2.00m³正丙醇溶液中，超声20min。超声完成后，机械搅拌条件下依次加入聚乙二醇53.6kg、0.20m³超纯水和0.10m³氨水，室温下搅拌24h。待搅拌完成后，静置使其完全沉淀，用超纯水洗涤，4000rpm转速下离心分离5min，冷冻干燥24h；

步骤2)青霉菌的驯化培养：青霉菌于25～30℃条件下在固体培养基中驯化培养30～50h；

步骤3)青霉菌磁性纳米复合材料的制备：将15kg的纳米Fe₃O₄、0.1m³20kg/m³海藻酸钠溶液和0.3m³60kg/m³聚乙烯醇溶液混合均匀，再将其用紫外灭菌。在无菌的条件下，挑取步骤2)中培养后的青霉菌孢子置于生理盐水中，混合均匀之后取0.1m³加入到上述灭完菌的混合液中，再用注射泵在无菌的条件下逐滴地滴入到2％的CaCl₂和饱和的硼酸混合溶液中，并在室温下放置3～6h；

步骤4)青霉菌磁性纳米复合材料的培养：将步骤3)制备得到的青霉菌磁性纳米复合材料，用超纯水洗涤2～4次，再将其置于液体培养基中振荡培养36～72h；

步骤5)将青霉菌磁性纳米复合材料用于降解阿特拉津：将步骤4)中培养后的青霉菌磁性纳米复合材料用超纯水洗涤2～4次，再将复合材料加入到含阿特拉津的废水中，处理5d，每隔24h取样检测阿特拉津的残余浓度。

2.根据权利1所述的一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法，其特征在于：步骤1)所述的FeCl₃·6H₂O和FeCl₂·4H₂O的摩尔比为2:1，两次的超纯水洗涤，都要洗至pH为7为止。

3.根据权利1所述的一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法，其特征在于：步骤2)所述的固体培养基配方为琼脂10～20kg/m³,去皮土豆15～20kg/m³，葡萄糖10～20kg/m³。并于120℃条件下灭菌20min。

4.根据权利1所述的一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法，其特征在于：步骤3)所述的青霉菌孢子置于生理盐水中，其含量要达到2.0×10⁶～5.0×10⁶cfu/mL。

5.根据权利1所述的一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法，其特征在于：步骤4)所述的液体培养基的配方为：1.00kg/m³K₂HPO₄,0.50 kg/m³KCl,0.50kg/m³MgSO₄·7H₂O,0.01kg/m³FeSO₄,3.00kg/m³NaNO₃，30.0kg/m³葡萄糖。培养条件为温度25～30℃，pH＝7.0，摇床振荡速度为120～150rpm。

6.根据权利1所述的一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法，其特征在于：步骤5)所述青霉菌磁性纳米复合材料以1.5～2.5kg/m³的固液比投加至含阿特拉津的废水中。