[发明专利]一种新型磁流体轴承及其制造方法有效
申请号: | 201810212379.0 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN108412894B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 胡瑞;许春霞;刘佐民;张一兵;燕松山;解芳;卢艳 | 申请(专利权)人: | 南昌工程学院 |
主分类号: | F16C19/50 | 分类号: | F16C19/50;F16C33/44;F16C33/58;F16C33/64;F16C33/66;F16C33/78;C22C19/03;C22C29/00;C22C29/16 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 韩晓娟 |
地址: | 330099 江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 轴承内圈 磁流体轴承 轴承外圈 轴承密封盖 永磁体 外壁 保持架 磁流体 滚动体 滚动摩擦 密闭空腔 密封性能 内壁连接 润滑效果 依次设置 高转速 无冲击 上端 空腔 内壁 下端 粉尘 制造 转动 架设 摩擦 | ||
1.一种新型磁流体轴承制造方法,所述磁流体轴承包括由内到外依次设置的轴承内圈(1)、永磁体保持架(2)、滚动体(3)以及轴承外圈(4);所述轴承内圈(1)设于所述轴承外圈(4)内,所述永磁体保持架(2)设于所述轴承内圈(1)的外壁上,所述滚动体(3)设置于所述永磁体保持架(2)上,所述磁流体轴承的两侧还设有轴承密封盖(5),所述轴承密封盖(5)的上端与所述轴承外圈(4)的内壁连接,下端与所述轴承内圈(1)的外壁连接,且所述轴承密封盖(5)、所述轴承外圈(4)的内壁以及所述轴承内圈(1)的外壁之间形成密闭空腔,所述空腔内注入有磁流体;所述轴承外圈(4)上径向开设有磁流体注入孔道(6);
其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1,轴承内圈(1)与轴承外圈(4)的表面处理
步骤1.1,将原始轴承内圈与原始轴承外圈浸泡到去氧化液中,然后于20-40℃下超声处理5-10min,处理完毕分别得到去氧化处理轴承内圈和去氧化处理轴承外圈;
其中,所述去氧化液为浓度为10%的氢氟酸溶液和浓度为10%的硝酸溶液按照1:1的体积比混合而成;
步骤1.2,将步骤1.1中去氧化处理轴承内圈和去氧化处理轴承外圈置于氢气炉中,并在550-600℃下保温20-30h,保温完毕分别得到氢化处理轴承内圈和氢化处理轴承外圈;
步骤1.3,将步骤1.2中氢化处理轴承内圈和氢化处理轴承外圈在搪锡专用锡锅中浸2-3s后冷却至室温,然后用水清洗,洗净后分别得到搪锡处理轴承内圈和搪锡处理轴承外圈;
步骤1.4,将步骤1.3中搪锡处理轴承内圈和搪锡处理轴承外圈装入离心浇铸机中,然后使用熔融的陶瓷合金进行离心浇铸,离心浇铸完毕后冷却至室温,分别得到涂覆有陶瓷合金层的轴承内圈(1)和涂覆有陶瓷合金层的轴承外圈(4);
步骤2,永磁体保持架(2)的制备
步骤2.1,按质量百分比称取以下原料:Ni:55-60%、Co:5-10%、Ag:0.2-0.5%、Ti:0.5-1.0%、Mo:0.3-0.5%、La:0.1-0.2%,Fe余量;
步骤2.2,将步骤2.1中称取的各物料放入球磨机中,设置球料比为2∶1,混合12h后压制成形,得到密度为5g/cm3坯料;将坯料置于真空碳管炉中,于1000-1200℃下烧结2h后开始浇铸、成型,即制得所述永磁体保持架(2);
步骤3,轴承的组装
将步骤1.4中得到的涂覆有陶瓷合金层的轴承内圈(1)、涂覆有陶瓷合金层的轴承外圈(4)、步骤2.2得到的永磁体保持架(2)、滚动体(3)以及轴承密封盖(5)按常规工艺装配,然后通过磁流体注入孔道(6)往空腔内注入磁流体,即得到所述磁流体轴承。
2.根据权利要求1所述的新型磁流体轴承制造方法,其特征在于,所述轴承内圈(1)、所述轴承外圈(4)以及所述滚动体(3)均由高碳铬轴承钢制备而成。
3.根据权利要求1所述的新型磁流体轴承制造方法,其特征在于,所述步骤1.1中超声处理功率为1.5kW/m3,频率为300kHz。
4.根据权利要求1所述的新型磁流体轴承制造方法,其特征在于,所述步骤1.3中搪锡专用锡锅内温度为260-280℃。
5.根据权利要求1所述的新型磁流体轴承制造方法,其特征在于,所述陶瓷合金由以下重量份数的组分组成:氮化钛25份、铝粉20份、二氧化硅10份、氮化硅10份、氮化硼4份、五氧化二铌2份、氧化石墨烯1份、氧化铯0.5份、氧化钇1份、磷钼酚醛树脂粉末1份、陶瓷合金耦合剂0.5份。
6.根据权利要求1所述的新型磁流体轴承制造方法,其特征在于,所述磁流体为水基四氧化三铁或油基四氧化三铁。
7.根据权利要求6所述的新型磁流体轴承制造方法,其特征在于,所述磁流体中的四氧化三铁的平均粒径小于5nm,含量为10-15%。
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