[发明专利]一种低液面张力湿法转移石墨烯的方法

权利要求书

1.一种低液面张力湿法转移石墨烯的方法，包括以下步骤：

步骤1：将生长有石墨烯的铜箔清洗并吹干；

步骤2：配置腐蚀溶液，将腐蚀溶液加入容器内，使腐蚀溶液的液面产生凸起，形成凸液面；

步骤3：在石墨烯-铜箔上滴加庚烷，庚烷完全覆盖石墨烯表面，石墨烯表面形成一层庚烷层；

步骤4：将具有庚烷层的石墨烯-铜箔漂浮在腐蚀溶液的凸液面上，铜箔与腐蚀溶液位于液面上，石墨烯位于铜箔之上；在腐蚀溶液滴加庚烷；

步骤5：等待铜箔溶解完毕，将基底的氧化层水平地置于石墨烯上方，使基底与石墨烯面接触；

步骤6：将基底缓慢的压向石墨烯，直到石墨烯与基底充分接触，石墨烯附着于基底，形成石墨烯-基底；

步骤7：获得石墨烯-基底并清洗，去除腐蚀溶液、残留的金属和庚烷；干燥获得洁净的石墨烯-基底。

2.如权利要求1所述的低液面张力湿法转移石墨烯的方法，其特征在于：步骤2中实现凸液面的方法是，将腐蚀溶液注入容器中，在容器内漂浮一个漂浮框，向漂浮框内滴加腐蚀溶液，直到漂浮框内的液面出现凸起为止；或者，将腐蚀溶液注入容器中，直到容器内的液面出现凸起为止。

3.如权利要求2所述的低液面张力湿法转移石墨烯的方法，其特征在于：步骤2中的腐蚀溶液是浓度为1摩尔每升的FeCl₃溶液。

4.如权利要求3所述的低液面张力湿法转移石墨烯的方法，其特征在于：步骤3中，在腐蚀溶液的凸液面之上滴加庚烷。

5.如权利要求1-4之一所述的低液面张力湿法转移石墨烯的方法，其特征在于：基底为二氧化硅抛光片，步骤5中，基底以1mm/s的速度压向石墨烯，基底没入腐蚀溶液后，石墨烯与基底充分接触。

6.如权利要求5所述的低液面张力湿法转移石墨烯的方法，其特征在于：步骤6包含：步骤6.1：从铁架台上取下二氧化硅抛光片，放入去离子水中清洗残留在二氧化硅抛光片上的腐蚀溶液2-3次；

步骤6.2：将二氧化硅抛光片放入20：1：1的H₂O：H₂O₂：HCl的溶液溶解残留金属；

步骤6.3：将二氧化硅抛光片放入去离子水清洗残留在基底上的溶液2-3次；

步骤6.4：将二氧化硅抛光片竖直放置晾干水分；

步骤6.5：将二氧化硅抛光片放入异丙醇中清洗表面残留庚烷，拿出二氧化硅抛光片吹干异丙醇。