[发明专利]沟槽金氧半导体元件在审
| 申请号： | 201810212670.8 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110034179A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上部电极 下部电极 金氧半导体元件 沟槽电极 方向排列 介电层 基底 方向延伸 寄生电容 结构设置 凹陷部 掺杂区 底面 相交 | ||
1.一种沟槽金氧半导体元件，其特征在于，包括：
基底，其中所述基底具有多个沟槽，所述多个沟槽沿着第一方向延伸且沿着第二方向排列，且所述第一方向与所述第二方向相交；以及
多个沟槽电极结构，设置于所述多个沟槽中，且每个沟槽电极结构包括：
下部电极，设置于所述沟槽中；
上部电极，设置于所述沟槽中且位于所述下部电极上，且具有面向所述下部电极的底面，其中所述上部电极在所述底面上具有沿着所述第一方向排列的多个凹陷部；以及
第一介电层，设置于所述上部电极与所述下部电极之间。
2.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述底面的形状包括波浪状。
3.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述下部电极具有面向所述上部电极的第一顶面，其中所述下部电极在所述第一顶面上具有沿着所述第一方向排列的多个第一突出部，且所述多个凹陷部对应于所述多个第一突出部进行设置。
4.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述第一介电层具有面向所述上部电极的第二顶面，其中所述第一介电层在所述第二顶面上具有沿着所述第一方向排列的多个第二突出部，且所述多个凹陷部对应于所述多个第二突出部进行设置。
5.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述多个沟槽电极结构位于主动区中。
6.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述第一介电层还延伸至所述基底与所述上部电极之间。
7.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，每个沟槽电极结构还包括第二介电层，设置于所述基底与所述下部电极之间。
8.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，还包括掺杂区，位于相邻两个沟槽电极结构之间的所述基底中。
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