[发明专利]用于制造半导体器件的方法

说明书

提供了一种用于制造半导体器件的方法。在一个实施例中，该方法包括：执行自限制工艺以对晶片的上表面进行改性；在自限制工艺完成之后，从晶片移除经改性的上表面；以及重复执行自限制工艺并从晶片移除经改性的上表面，直到晶片的厚度减小到预定厚度为止。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，更具体地涉及用于制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件被用在诸如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机、和其它电子设备之类的各种电子应用中。通常，通过以下工艺制造半导体器件：在半导体衬底上顺序沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层的材料，然后使用光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。

半导体行业继续通过不断地减小最小特征尺寸来提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使得更多组件能够被集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应该解决的额外问题。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：执行自限制工艺以对晶片的上表面进行改性；在自限制工艺完成之后，从晶片移除经改性的上表面；以及重复执行自限制工艺并从晶片移除经改性的上表面，直到晶片的厚度减小到预定厚度为止。

根据本发明实施例的另一方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成鳍状物；在鳍状物上形成伪栅材料；氧化伪栅材料的上表面以在伪栅材料的上表面中形成氧化物层，执行氧化直到经过预定的时间量为止；在氧化伪栅材料的上表面之后，从伪栅材料移除氧化物层；图案化伪栅材料以形成伪栅极；沿伪栅极的侧面形成栅极间隔物；以及用替换栅极电介质和替换栅极电极来替换伪栅极。

根据本发明实施例的另一方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：混合多种化学品的第一子集以产生氧化溶液；在晶片的上表面上分配氧化溶液；停止分配氧化溶液；在停止分配氧化溶液之后，混合多种化学品的第二子集以产生研磨溶液；以及在研磨晶片的上表面的同时在晶片的上表面上分配研磨溶液。

附图说明

通过结合附图阅读以下的详细描述，可以最好地理解本公开的各方面。应该注意的是，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出了根据一些实施例的三维视图中的FinFET的示例。

图2、图3、图4、图5、图6、和图7是根据一些实施例的制造FinFET的中间阶段的横截面图。

图8A、图8B、图8C、和图8D示出了根据一些实施例的平面化系统的各方面。

图8E示出了根据一些其它实施例的平面化系统的各方面。

图9、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图16A、图16B、图17A、图17B、图18A、和图18B是根据一些实施例的制造FinFET的中间阶段的横截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了用于实现本发明的不同特征的许多不同的实施例或示例。下面描述组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例而不用于限制。例如，在随后的描述中，在第二特征上或上方形成第一特征可以包括其中第一特征和第二特征以直接接触方式形成的实施例，并且还可以包括其中可以在第一特征和第二特征之间形成额外的特征以使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各个示例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不指定所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。