[发明专利]一种多晶硅片及其表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法

权利要求书

1.一种多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，包括以下步骤：

去除多晶硅片表面损伤层：将经过清洗的多晶硅片置于HF溶液中浸泡一段时间，进行表面机械损伤层去除；

酸液的配置及多晶硅片的刻蚀：配置HF、HNO₃和去离子水按照一定比例混合，形成的混合溶液作为酸刻蚀液，将配置好的所述酸刻蚀液放置在冰浴环境下一段时间，待酸刻蚀液温度达到设定的要求，将多晶硅片漂浮在酸刻蚀液表面刻蚀一段时间；

清洗与干燥：将刻蚀后的多晶硅片用NaOH溶液、去离子水清洗，然后干燥处理。

2.根据权利要求1所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，所述去除多晶硅片表面损伤层的步骤具体为：将多晶硅片用去离子水清洗表面的污尘，接着用乙醇清洗，再用浓度为5-8％的HF浸泡一段时间，去除多晶硅片表面的机械损伤层，再用去离子水清洗多晶硅片，去除多晶硅表面多余的酸液。

3.根据权利要求1所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，所述酸液的配置及多晶硅片的刻蚀中，HF、HNO₃和去离子水按照HF：HNO₃：H₂O＝1：4：2的体积比进行混合，形成酸刻蚀液。

4.根据权利要求1或3所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，所述酸刻蚀液在冰浴下放置10～20min。

5.根据权利要求1所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，所述多晶硅片的刻蚀中，将配置好的所述酸刻蚀液放置在冰浴环境下待酸刻蚀液温度达到4度，将多晶硅片漂浮在酸刻蚀液表面刻蚀。

6.根据权利要求1或3所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，所述多晶硅片在酸刻蚀液中的刻蚀时间为50～150s。

7.根据权利要求6所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，所述多晶硅片在酸刻蚀液中的刻蚀时间为50s。

8.根据权利要求1所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，其特征在于，所述NaOH的浓度为5～8％。

9.一种根据权利要求所述多晶硅表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法制成的多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片具有蚯蚓状的绒面结构；所述绒面结构的大小为600～1000nm，表面反射率为30-35％。