[发明专利]石墨烯双面太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810214013.7 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108321238A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 况亚伟;顾涵;马玉龙;张静;倪志春;魏青竹;潘启勇;杨希峰;刘玉申;冯金福 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/054 | 分类号： | H01L31/054;H01L31/0725;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅层 石墨烯 双面太阳能电池 通孔 石墨烯薄膜层 减反层 制备 单晶硅 多晶硅表面 光生载流子 太阳能电池 表面设置 环状结构 内建电场 四周区域 多晶硅 前电极 线电极 背栅 暴露 生产 | ||
1.一种石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层上设置前电极；所述n型单晶硅的另一面设置n+型多晶硅，所述n+型多晶硅表面设置光学减反层，所述光学减反层表面设置背栅线电极。
2.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述n型单晶硅的掺杂浓度为1×1010～1×1014cm-3，所述n+型多晶硅的掺杂浓度为1×1016～1×1019cm-3。
3.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述n型单晶硅的厚度为5～50μm，n+型多晶硅的厚度为0.1～5μm。
4.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为100～2000nm。
5.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述石墨烯薄膜层为若干层石墨烯薄膜叠置而成，石墨烯薄膜层厚度为10～100nm。
6.根据权利要求1所述的石墨烯双面太阳能电池，其特征在于，所述光学减反层为若干层氮化硅薄膜叠置而成，光学减反层厚度为0.5～5μm，折射率为1.9～2.8。
7.一种制备权利要求1至6中任意一项所述的石墨烯双面太阳能电池的方法，其特征在于，包括步骤：在n型单晶硅的一面沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层刻蚀形成通孔；在n型单晶硅的另一面利用等离子增强化学沉积技术制备n+型多晶硅，并进行退火处理；在n+型多晶硅表面利用等离子增强化学沉积技术制备光学减反层；在光学减反层表面采用溅射工艺制备背栅线电极；二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面上制备石墨烯薄膜层；在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的石墨烯薄膜层表面采用丝网印刷制备前电极。
8.根据权利要求7所述的石墨烯双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理时置于氮气或氩气气氛内进行，退火温度为800～1200℃，保温时间300～600min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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