[发明专利]一种高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810214293.1 申请日: 2018-03-15
公开(公告)号: CN108358630B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 王根水;边峰;闫世光;徐晨洪;毛朝梁;董显林;曹菲 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/493 分类号: C04B35/493;C04B35/622
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 高储能 密度 反铁电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高储能密度反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1-xTix]O3 + a SiO2;其中,0.1≤x≤0.15,a为SiO2与Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1-xTix]O3 的摩尔百分比,3%≤a≤5%;SiO2源为硅酸四乙酯,经水解反应得到SiO2,所述SiO2以第二相存在,均匀覆盖于Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1-xTix]O3的表面。

2.根据权利要求1所述的高储能密度反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述反铁电陶瓷材料在21.6~23.6kV/mm的工作电场下,可释放的储能密度为2.32~2.68J/cm3,储能效率为73~81 %。

3.根据权利要求2所述的高储能密度反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述反铁电陶瓷材料在23.5kV/mm的工作电场下,可释放的储能密度为2.68J/cm3,储能效率为78%。

4.根据权利要求1或2所述的高储能密度反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述反铁电陶瓷材料能在室温下的相对介电常数为754~803,介电损耗为0.001~0.002,AFE-FE相变电场为3.97~4.88kV/mm。

5.根据权利要求4所述的高储能密度反铁电陶瓷材料,其特征在于,所述反铁电陶瓷材料在室温下的相对介电常数为791,介电损耗为0.002,AFE-FE相变电场为4.68kV/mm。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的高储能密度反铁电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括:

(1)固相反应法制备Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1-xTix]O3粉体;

(2)将所得Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1-xTix]O3粉体、硅酸四乙酯、水和醇混合并调节pH为7.5~8.0后进行水解反应,再经过滤、洗涤,得到包覆后粉体;

(3)重复步骤(2)2~5次,在450℃~500℃下热处理2~4小时后,加入粘结剂造粒并压制成型,得到素坯;

(4)将所得素坯经排塑后,在1150℃~1200℃下烧结1~3小时,得到所述高储能密度反铁电陶瓷。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述固相反应法为按照Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1-xTix]O3的化学计量比称取Pb源、La源、Zr源、Sn源、Ti源混合,再经烘干和煅烧,得到Pb0.97La0.02[(Zr0.375Sn0.625)1-xTix]O3粉体。

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