[发明专利]晶片脱附的方法、装置及半导体处理设备

权利要求书

1.一种晶片脱附的方法，其特征在于，包括：

步骤S110、伺服控制器获取预设安全扭矩值；

步骤S120、所述伺服控制器控制伺服电机驱动顶针机构运动，以对晶片进行脱附，并获取所述伺服电机驱动过程中的最大扭矩值；

步骤S130、所述伺服控制器判断所述最大扭矩值是否大于所述预设安全扭矩值，是则执行步骤S140，否则无粘片产生，完成晶片脱附；

步骤S140、所述伺服控制器控制所述伺服电机抱闸；

执行所述步骤S140之后继续执行下述步骤：

步骤S150、所述伺服控制器获取所述伺服电机抱闸瞬间的扭矩值；

步骤S160、基于所述伺服电机抱闸瞬间的扭矩值，确定对静电卡盘加载反向电压的加载时间T；

步骤S170、向所述静电卡盘加载T时间的反向电压后转至所述步骤S120。

2.根据权利要求1所述的晶片脱附的方法，其特征在于，所述步骤S160中，确定所述加载时间T的方法包括：

步骤S161、获取N个测试晶片，对N个所述测试晶片依次编号为1、2、3…N，其中，N为大于或等于1的正整数；

步骤S162、分别获取N个所述测试晶片的加载正向电压的时间以及在所述伺服电机驱动过程中的最大测试扭矩值；

步骤S163、根据每个所述测试晶片的加载正向电压的时间以及所述最大测试扭矩值生成测试集合A，并基于所述测试集合A，确定加载反向电压的加载时间T。

3.根据权利要求2所述的晶片脱附的方法，其特征在于，所述步骤S162中，对每个所述测试晶片均进行下述步骤：

将当前测试晶片M放置到所述静电卡盘的表面，并对所述静电卡盘加载T_M时间的正向电压，其中，1≤M≤N；

所述伺服电机驱动所述顶针机构运动，以脱附所述静电卡盘上的所述当前测试晶片M，所述伺服控制器获取所述伺服电机驱动过程中的所述当前测试晶片M对应的最大测试扭矩值W_M。

4.根据权利要求3所述的晶片脱附的方法，其特征在于，所述步骤S163具体为：

根据所述测试集合A，其中，A＝{(T₁,W₁),(T₂,W₂)…(T_N,W_N)}，基于最小二乘法进行曲线拟合，生成最大测试扭矩值与加载正向电压的时间的关系曲线，得到最大测试扭矩值与加载正向电压的时间的函数关系式；

基于所述最大扭矩值和所述函数关系式，确定加载反向电压的加载时间T。

5.根据权利要求3所述的晶片脱附的方法，其特征在于，所述步骤S163具体为：

根据所述测试集合A，其中，A＝{(T₁,W₁),(T₂,W₂)…(T_N,W_N)}，基于最小二乘法进行曲线拟合，生成最大测试扭矩值与加载正向电压的时间的关系曲线，得到最大测试扭矩值与加载正向电压的时间的函数关系式；

将所述最大扭矩值与预设安全扭矩值的预定部分作差处理，获得负载扭矩值，将所述负载扭矩值代入所述函数关系式中，确定加载反向电压的加载时间。

6.根据权利要求5所述的晶片脱附的方法，其特征在于，所述预设安全扭矩值的预定部分为所述预设安全扭矩值的一半。

7.根据权利要求2至6中任意一项所述的晶片脱附的方法，其特征在于，所述测试晶片的加载正向电压的时间小于或等于5s。