[发明专利]一种硅片的成膜加工方法

权利要求书

1.一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)装片：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，进行升温；

2)预沉积：待步骤1)升温完成后，通入适量氨气，开启功率，对硅片进行预处理；

3)沉积：待步骤2)完成后，通入不同比例的氨气和硅烷，对硅片进行沉积，使之沉积成墨色膜层，集中度在90％以上。

2.根据权利要求1所述的一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，所述步骤1)的具体操作分为如下步骤：

A1)进入：将刻蚀好的硅片放入PECVD设备内部，将设备内部温度提升至460℃，时间控制在290-310s；

A2)抽空：将设备内部的气体抽出，保持设备内部温度为450℃，持续时间为30S；

A3)吹扫：向设备内部吹扫入氮气，保持设备内部温度为450℃，氮气流量为2000slm，持续时间10S；

A4)恒温：保持设备内部温度为450℃，对硅片进行热处理，持续时间为600S。

3.根据权利要求1所述的一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，所述步骤2)的具体操作为：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气，氨气流量为4500slm，持续时间为20s，对硅片进行预沉积处理。

4.根据权利要求1所述的一种硅片的成膜加工方法，其特征在于，所述步骤3)的具体操作分为如下步骤：

B1)沉积一：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为3000slm，硅烷流量为1300slm，脉冲功率为7500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为180s，对硅片进行一次沉积处理；

B2)沉积二：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为3800slm,硅烷流量为800slm，脉冲功率为6500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为80s，对硅片进行二次沉积处理；

B3)沉积三：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氨气和硅烷，氨气流量为4500slm，硅烷流量为700slm，脉冲功率为500W，脉冲每开3s后，脉冲关33S，持续时间为200s，对硅片进行三次沉积处理；

B4)抽空：控制设备内部温度为450℃，将设备内部气体抽空，持续时间为30S；

B5)吹扫：控制设备内部温度为450℃，向设备内部吹扫入氮气，氮气流量为2000slm，持续时间为10s；

B6)抽空：控制设备内部温度为450℃，再次将设备内部气体抽空，持续时间为30S；

B7)冲氮：控制设备内部温度为450℃，向设备内部通入氮气，氮气流量为3000slm，持续时间为60秒；

B8)取舟：控制设备内部温度为460℃，持续时间为700s，最后，将载有硅片的石墨舟取出。