[发明专利]一种均匀场流的蚀刻装置

说明书

本发明公开一种均匀场流的蚀刻装置，包括反应槽、入射单元、溢流槽、循环洁净单元，所述入射单元设置在反应槽的底部，入射单元包括入射管和反射罩，所述反射罩上表面为设置通孔的平面，反射罩通过通孔与反应槽连通，下表面为抛物面，所述入射管置于所述抛物面的抛物线所在的焦点处，所述入射管上设置有方向指向抛物面的入射孔。上述技术方案通过反射罩的抛物面，使得入射后的溶液反射后形成平行竖直向上的均匀的场流，同时由于反射罩上表面具有通孔，可以遮挡非竖直向上的场流，使得进入到反应槽内部的场流都是竖直向上，最终实现均匀场流，进而提高化学蚀刻的品质。

技术领域

本发明涉及晶圆蚀刻装置技术领域，尤其涉及一种均匀场流的蚀刻装置。

背景技术

现有的晶圆蚀刻装置，如图1所示，包含反应槽100和溢流槽110，循环管路120，机械手臂130。机械手臂用于吊装晶圆，反应槽用于溶液蚀刻晶圆，晶圆蚀刻的时候需要流动的液体，称为场流。现有的做法是在反应槽底部补充溶液，从而使得反应槽内的溶液流动。多余的溶液会从反应槽的槽口流出，溢流槽用于收集流出的溶液并通过循环管路的抽取装置在抽到反应槽底部，实现溶液循环。现有的循环管路在反应槽底部一般是采用一个方形具有通孔的圆管140，这样射出的液体会在反应槽内不同的区域形成不同速度，使得场流不均匀，影响蚀刻品质。

发明内容

为此，需要提供一种均匀场流的蚀刻装置，解决现有蚀刻装置场流不均匀影响蚀刻品质问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种均匀场流的蚀刻装置，包括反应槽、入射单元、溢流槽、循环洁净单元，所述入射单元设置在反应槽的底部，入射单元包括入射管和反射罩，所述反射罩上表面为设置通孔的平面，反射罩通过通孔与反应槽连通，下表面为抛物面，所述入射管置于所述抛物面的抛物线所在的焦点处，所述入射管上设置有方向指向抛物面的入射孔，所述溢流槽设在反应槽外部的四周，循环洁净单元进液口与溢流槽底部连通，循环洁净单元出液口与入射管连通，循环洁净单元用于抽取并过滤溢流槽的液体。

进一步地，还包括超声波振荡单元，超声波振荡单元设置在反应槽的槽体壁上和/或反射罩下表面壁上。

进一步地，所述反射罩的上表面与反应槽底部为相同大小。

进一步地，所述反应槽为方体型。

区别于现有技术，上述技术方案通过反射罩的抛物面，使得入射后的溶液反射后形成平行竖直向上的均匀的场流，同时由于反射罩上表面具有通孔，可以遮挡非竖直向上的场流，使得进入到反应槽内部的场流都是竖直向上，最终实现均匀场流，进而提高化学蚀刻的品质。

附图说明

图1为改进前技术所述蚀刻装置的结构示意图；

图2为具体实施方式所述的蚀刻装置的结构示意图；

图3为具体实施方式所述的入射单元的结构示意图；

图4为具体实施方式所述的入射单元的液体反射示意图；

图5为所述的超声波振荡单元设置在反射罩下表面的示意图；

图6为所述的超声波振荡单元设置在反应槽壁和反射罩下表面的示意图。

附图标记说明：

1、蚀刻装置；2、反应槽；3、入射单元；

30、入射管；31、反射罩；32、通孔；33、入射孔；4、溢流槽；

5、循环洁净单元；6、超声波振荡单元；7、喷淋单元；70、喷淋口；

11、第一单向阀；12、第二单向阀；14、液位传感单元；

15、多轴运动机械手臂；A、机械手臂。

具体实施方式