[发明专利]可提升负载电流与输入电压差间线性度的运算放大器电路

权利要求书

1.一种运算放大器电路，包含：

差分输入级电路，包含：

第一输入电路，包含：

第一输入晶体管，具有第一端、第二端以及用于接收第一输入信号的控制端；以及

第二输入晶体管，具有第一端、第二端以及用于接收第二输入信号的控制端；

第一电压维持电路，包含：

第一分支电路，包含：

第一追踪晶体管，具有第一端、第二端以及控制端；以及

第二追踪晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第一追踪晶体管的所述第二端与所述第二追踪晶体管的所述第二端耦接于所述第一输入晶体管的所述第一端；以及第二分支电路，包含：

第三追踪晶体管，具有第一端、第二端以及控制端；以及

第四追踪晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第三追踪晶体管的所述第二端与所述第四追踪晶体管的所述第二端耦接于所述第二输入晶体管的所述第一端；以及

第一电流源，耦接于所述第一输入晶体管的所述第二端与所述第二输入晶体管的所述第二端；以及

负载级电路，耦接于所述第一电压维持电路，其产生第一级输出，

其中，所述第一追踪晶体管的所述第一端与所述第二追踪晶体管的所述第一端共同耦接于所述负载级电路的一端；

所述第三追踪晶体管的所述第一端与所述第四追踪晶体管的所述第一端共同耦接于所述负载级电路的另一端；

所述第一追踪晶体管的所述控制端与所述第三追踪晶体管的所述控制端耦接于所述第一输入晶体管的所述控制端，其接收所述第一输入信号；以及所述第二追踪晶体管的所述控制端与所述第四追踪晶体管的所述控制端耦接于所述第二输入晶体管的所述控制端，其接收所述第二输入信号。

2.如权利要求1所述的运算放大器电路，其中所述差分输入级电路还包含：

第二输入电路，包含：

第三输入晶体管，具有第一端、第二端，以及用于接收第三输入信号的控制端；以及

第四输入晶体管，具有第一端、第二端，以及用于接收第四输入信号的控制端；以及

第二电压维持电路，包含：

第三分支电路，耦接于所述第三输入晶体管的所述第一端与所述第三输入晶体管的所述控制端，其中所述第三分支电路接收所述第三输入信号；以及

第四分支电路，耦接于所述第四输入晶体管的所述第一端与所述第四输入晶体管的所述控制端，其中所述第四分支电路接收所述第四输入信号；以及

第二电流源，耦接于所述第三输入晶体管的所述第二端与所述第四输入晶体管的所述第二端，其中所述负载级电路耦接于所述第二电压维持电路。

3.如权利要求2所述的运算放大器电路，其中所述第一输入信号与所述第三输入信号相同，且所述第二输入信号与所述第四输入信号相同。

4.如权利要求3所述的运算放大器电路，其中，

所述第一输入晶体管与所述第三输入晶体管彼此互补；

所述第二输入晶体管与所述第四输入晶体管彼此互补；以及

所述第一电压维持电路与所述第二电压维持电路彼此互补。

5.如权利要求1所述的运算放大器电路，其中所述第一输入晶体管的尺寸与所述第二输入晶体管的尺寸实质相等，所述第一追踪晶体管的尺寸与所述第二追踪晶体管的尺寸实质相等，且所述第三追踪晶体管的尺寸与所述第四追踪晶体管的尺寸实质相等。

6.如权利要求1所述的运算放大器电路，其中，

所述第一输入晶体管、所述第二输入晶体管、所述第一追踪晶体管、所述第二追踪晶体管、所述第三追踪晶体管，以及所述第四追踪晶体管为NMOS晶体管；或

所述第一输入晶体管、所述第二输入晶体管、所述第一追踪晶体管、所述第二追踪晶体管、所述第三追踪晶体管，以及所述第四追踪晶体管为PMOS晶体管。