[发明专利]一种超薄的太赫兹强吸收体在审
| 申请号： | 201810216644.2 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108387956A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 白晋军;葛梅兰;张曙升;孙晓东;常胜江 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强吸收 半导体介质层 空气孔 吸收率 金属薄膜层 周期分布 超材料 叠加 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄的太赫兹强吸收体，其特征在于所述太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层中有周期分布的圆柱空气孔结构。
2.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的材料为贵金属。
3.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的厚度t1大于入射太赫兹波的趋肤深度。
4.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述半导体介质层的材料为半导体。
5.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述半导体介质层的厚度t2为3-5μm。
6.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述周期分布的空气孔半径r为20-38μm，周期a为80μm。
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