[发明专利]基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法

权利要求书

1.基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

1)制备环氧树脂材料：

(1)将环氧树脂基和固化剂按照3:1的质量比进行混合，得到环氧树脂混合物；

(2)机械搅拌60_～90min，使其混合均匀；

(3)使用抽气泵和真空箱对环氧树脂混合物进行脱气处理40_～60min,真空度

-0.1MPa；

(4)将其倒入涂有脱模剂的模具中；

2)环氧树脂材料采用梯度温度固化法处理,固化过程分为两步:

(1)将模具及基料加热至70℃下固化4小时；

(2)再加热至130℃固化4小时；

(3)完全固化后，冷却、脱模得到环氧树脂绝缘试样；

3)对环氧树脂绝缘试样进行梯度设计：

(1)将环氧树脂绝缘试样表面从左至右分为五个紧密相连的矩形，并令矩形的相对介电常数依次减小再增大；

(2)将环氧树脂绝缘试样放置于磁控溅射设备内，在不同位置溅射不同时间，时间范围分别为0min～60min，即得到二维梯度分布的环氧树脂材料。

2.根据权利要求1所述的基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，所述步骤3)具体是：

(1)对环氧树脂绝缘试样按照条形样式进行梯度设计，即将其表面从左至右分为五个紧密相连的矩形，并令矩形的相对介电常数依次减小再增大；

(2)将环氧树脂绝缘试样放置于磁控溅射设备内，按照条形样式的线性梯度分布在不同位置溅射不同时间，从左至右溅射时间分别为60min、30min、0min、30min、60min。

3.根据权利要求1所述的基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，所述步骤3)具体是：

(1)对环氧树脂绝缘试样按照环形样式进行梯度设计，即将其表面由内向外分为五个紧密相连的环形，并令环形的相对介电常数依次减小再增大；

(2)将环氧树脂绝缘试样放置于磁控溅射设备内，按照环形样式的线性梯度分布在不同位置溅射不同时间，由内向外溅射时间分别为60min、30min、0min、30min、60min。

4.根据权利要求1所述的基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，所述步骤3)中分步骤(2)溅射过程中的射频电压为650V，电流为120mA。

5.根据权利要求1所述的基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，所述步骤3)中分步骤(2)溅射在氩气氛围下进行，氩气流速为50_～60SCCM。

6.根据权利要求1所述的基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，所述步骤3)中分步骤(2)磁控溅射设备使用的靶材为TiO₂。

7.根据权利要求1所述的基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，所述步骤1)中环氧树脂基为缩水甘油醚类的双酚A环氧树脂。

8.根据权利要求1所述的基于U型梯度处理的抑制GIS绝缘子表面电荷积聚的方法，其特征在于，所述步骤1)中固化剂为低分子量聚酰胺树脂HY-651。