[发明专利]多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层在审

专利信息
申请号: 201810218192.1 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108623330A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: V·菲鲁兹多尔;S·班达;R·丁德萨;D·卞;D·M·勒夫尔 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C04B41/89;H01L21/683;C23C16/455;C23C16/40
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;金红莲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 多孔主体 等离子体涂层 原子层沉积 多孔腔室 孔隙壁 可渗透 沉积 固溶体 侵蚀
【权利要求书】:

1.一种制品,包括:

多孔主体,包括所述多孔主体内的多个孔隙,所述多个孔隙各自包括孔隙壁,其中所述孔隙主体对气体是可渗透的;和

抗等离子体涂层,处于所述多孔主体的表面上并且处于所述多孔主体内的所述多个孔隙的所述孔隙壁上,所述抗等离子体涂层具有5nm至3μm的厚度并且包含Y2O3-ZrO2的固溶体,其中所述抗等离子体涂层保护所述孔隙壁不受侵蚀,并且其中具有所述抗等离子体涂层的所述多孔主体保持对所述气体是可渗透的。

2.如权利要求1所述的制品,其中所述Y2O3-ZrO2的固溶体包括10-90mol%的Y2O3和10-90mol%的ZrO2的混合物。

3.如权利要求1所述的制品,其中所述Y2O3-ZrO2的固溶体包括40-80mol%的Y2O3和20-60mol%的ZrO2的混合物。

4.如权利要求1所述的制品,其中所述Y2O3-ZrO2的固溶体包括60-70mol%的Y2O3和30-40mol%的ZrO2的混合物。

5.如权利要求1所述的制品,其中所述制品是用于静电夹盘的陶瓷插塞。

6.如权利要求1所述的制品,其中所述抗等离子体涂层包含:

含稀土金属的氧化物层,包含Y2O3-ZrO2的固溶体;以及

高纯度金属氧化物层。

7.如权利要求1所述的制品,其中所述多孔主体具有5%至60%的孔隙率。

8.如权利要求1所述的制品,其中所述抗等离子体涂层包含:

第一类型的层和第二类型的层的交替层的堆叠,其中:

所述第一类型的层包含具有1埃至20埃的厚度的高纯度金属氧化物;并且

所述第二类型的层包含所述Y2O3-ZrO2的固溶体并且具有5埃至100埃的厚度。

9.如权利要求1所述的制品,其中所述多孔主体基本上由两相材料组成,所述两相材料包含第一氧化物的烧结颗粒和用作所述第一氧化物的所述烧结颗粒的粘结剂的第二氧化物,其中所述第一氧化物选自由氧化铝和氮化铝所组成的群组并且所述第二氧化物是二氧化硅。

10.如权利要求1所述的制品,其中所述多孔主体选自由以下项所组成的群组:a)氧化铝和二氧化硅的混合物;b)氧化铝、氧化镁和二氧化硅的混合物;c)碳化硅;d)氮化硅;和e)氮化铝和二氧化硅的混合物。

11.一种方法,包括:

进行原子层沉积以在包括多个孔隙的多孔腔室部件上沉积包含Y2O3-ZrO2的固溶体的抗等离子体涂层,所述多个孔隙各自包括孔隙壁,其中所述多孔腔室部件对气体是可渗透的,并且其中进行所述原子层沉积包括:

将所述抗等离子体涂层沉积到所述多孔腔室部件的表面上;以及

将所述抗等离子体涂层沉积到所述多孔腔室部件内的所述多个孔隙的所述孔隙壁上;

所述抗等离子体涂层具有5nm至3μm的厚度,其中所述抗等离子体涂层保护所述孔隙壁不受侵蚀,并且其中在进行所述原子层沉积之后,具有所述抗等离子体涂层的所述多孔腔室部件保持对所述气体是可渗透的。

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