[发明专利]一种制作黑硅太阳电池的方法有效
| 申请号： | 201810218555.1 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108470695B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王英超;徐卓;郎芳;王红芳;刘杰;王平;李锋 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 太阳电池 方法 | ||
1.一种制作黑硅太阳电池的方法，其特征在于，包括：
对第一次制绒后的黑硅样片进行反射率测试；
筛选出反射率在预设反射率范围内的黑硅样片进行凹坑直径测试，所述凹坑直径为第一次制绒后产生的凹坑的直径；其中，所述预设反射率范围为15％-18％；
筛选出凹坑直径在预设凹坑直径范围内的黑硅样片进行表面钝化，在黑硅样片表面形成钝化层；其中，所述预设凹坑直径范围为500nm-1000nm；
对钝化后的黑硅样片进行钝化层膜厚测试；
筛选出钝化层膜厚在预设钝化层膜厚范围内的黑硅样片制作成黑硅太阳电池，其中，所述预设钝化层膜厚范围为81nm-85nm。
2.如权利要求1所述的制作黑硅太阳电池的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对反射率超过预设反射率范围、凹坑直径超过预设凹坑直径范围和钝化层膜厚超过预设钝化层膜厚范围的黑硅样片进行重新制绒。
3.如权利要求2所述的制作黑硅太阳电池的方法，其特征在于，重新制绒时的碱液清洗工艺时间为第一次制绒时碱液清洗工艺时间的一半。
4.如权利要求1所述的制作黑硅太阳电池的方法，其特征在于，在所述钝化层表面均匀选取5个测试点进行钝化层膜厚测试。
5.如权利要求1所述的制作黑硅太阳电池的方法，其特征在于，所述钝化层采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备。
6.如权利要求1所述的制作黑硅太阳电池的方法，其特征在于，所述钝化层采用氮化硅材料制备。
7.如权利要求1所述的制作黑硅太阳电池的方法，其特征在于，采用椭偏仪进行钝化层膜厚测试。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
