[发明专利]磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统

权利要求书

1.一种磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：包括蒸发室和反应室（1），蒸发室包括对称设置于反应室（1）相对两侧的磁控溅射蒸发室（2）和对称设置于反应室（1）另一相对两侧的原子层沉积蒸发室（3）；

所述反应室（1）包括基板转架（11），基板转架（11）设置于反应室（1）正中心位置，用于承载基板；在所述基板转架（11）外侧壁上设置有基板安装位（15），基板安装位（15）包括对称设置在基板转架（11）外侧壁上的上固定槽和下固定槽，上固定槽与基板转架固定连接，下固定槽借助基板转架（11）上设置的安装槽形成活动连接；所述基板转架（11）与旋转机构（12）连接，旋转机构（12）用于驱动基板转架（11）均速转动；所述反应室（1）还包括与所述反应室（1）连通的气路，所述气路包括靠近所述基板转架（11）设置的第一O₂气路（13）和/或第一N₂气路（14），用于为薄膜结晶提供补偿气体；

所述磁控溅射蒸发室（2）固定设有靶材承载部（21），在其上承载靶材（22）；磁控溅射蒸发室（2）的侧壁上设有磁控溅射阴极（23），磁控溅射阴极（23）与其对应的电源连接；

所述原子层沉积蒸发室（3）设置有与基板转架（11）相对、平行的气体分配器（31），所述气体分配器（31）包括进气管道和配气盘，所述配气盘固定设置在所述进气管道的出口；所述配气盘包括两个平行设置的第一配气盘（32）和第二配气盘（33），第一配气盘（32）上均匀设置有多个第一出气孔，第二配气盘（33）上错列设置有多个第二出气孔。

2.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述上固定槽和下固定槽都为U型槽体结构。

3.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述上固定槽和下固定槽绕基板转架（11）设置有多组。

4.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述第一O₂气路（13）和第一N₂气路（14）上设有气体流量控制器。

5.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述反应室（1）还包括与所述反应室（1）连通的真空获取装置（17）。

6.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述反应室（1）还包括与所述基板转架（11）对应的加热装置（16）和/或冷却装置。

7.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述靶材（22）为圆柱形靶材或平面靶材。

8.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述磁控溅射阴极（23）为平面矩形阴极或平面圆形阴极。

9.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述磁控溅射蒸发室（2）还包括辅助沉积离子源（24），所述辅助沉积离子源（24）的开口朝向所述基片转架（11）。

10.如权利要求1所述的磁控溅射原子层沉积真空镀膜系统，其特征是：所述磁控溅射蒸发室（2）还包括与所述磁控溅射蒸发室连通的气路，各气路上均设有气体流量控制器。