[发明专利]一种滚筒式多晶硅破碎装置在审
申请号: | 201810219125.1 | 申请日: | 2018-03-16 |
公开(公告)号: | CN108554578A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 姜炎;徐灯;董开群;苏晨 | 申请(专利权)人: | 安徽明思科技有限公司 |
主分类号: | B02C19/00 | 分类号: | B02C19/00;B02C19/11;B02C23/16 |
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地址: | 230001 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滚筒 后底座 前底座 托辊 多晶硅破碎装置 出料口 滚筒式 密封罩 驱动盘 筛孔 电机带动 皮带连接 平行设置 使用寿命 相对密封 整体设备 出料斗 手动门 皮带 破碎 转动 电机 伤害 | ||
本发明提供一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座、后底座,所述前底座、后底座平行设置,所述前底座、后底座上安装有托辊,所述托辊上设有滚筒,所述滚筒一端设有驱动盘、另一端上设有手动门,驱动盘通过皮带连接于电机,滚筒通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒中部设有筛孔,所述筛孔外侧设有密封罩,密封罩下侧设有出料口,出料口上设有出料斗。本发明整个破碎过程均在相对密封条件进行,对环境和工作人员没有伤害,整体设备使用寿命长、操作方便。
技术领域
本发明涉及多晶硅破碎技术领域,具体为一种滚筒式多晶硅破碎装置。
背景技术
宏观来说,多晶硅就用在两个行业:太阳能电池和半导体工业。太阳能级要求的多晶纯度是比较低的,半导体要求的多晶硅纯度是相当的高。生活中,一般太阳能电池片用的是单晶硅片,纯度只要5N-6N,即这个纯度的单晶硅是由纯度5N-6N的多晶提拉而成,而像电脑的芯片,内存……他们所要求的硅片等级要12N。太阳能和半导体行业的对于多晶的需求都是很广泛,区别在于原料的纯度,而纯度的简单差别,在技术上却是极高的差别。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。
多晶硅的生产对纯度要求很高。目前多晶硅棒的破碎主要靠人工用碳化钨锤子敲击破碎,破碎效率低,且破碎产生的粉尘对人体健康产生严重危害。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种滚筒式多晶硅破碎装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座、后底座,所述前底座、后底座平行设置,所述前底座、后底座上安装有托辊,所述托辊上设有滚筒,所述滚筒一端设有驱动盘、另一端上设有手动门,驱动盘通过皮带连接于电机,滚筒通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒中部设有筛孔,所述筛孔外侧设有密封罩,密封罩下侧设有出料口,出料口上设有出料斗。
所述密封罩上侧设有粉尘抽排管,粉尘抽排管连接于抽负压设备上。
所述滚筒包括滚筒侧部、滚筒中部,滚筒侧部倾斜设置,滚筒侧部沿滚筒侧部对称设置,滚筒中部内设有中部挡块,滚筒侧部内设有外侧挡块。
所述电机通过电机固定座安装在前底座上。
所述托辊通过托辊安装轴安装在托辊固定支架上,托辊固定支架安装在前底座、后底座上,滚筒两端设有托辊导轨,托辊导轨安装在托辊上。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明整个破碎过程均在相对密封条件进行,对环境和工作人员没有伤害,整体设备使用寿命长、操作方便。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的主视图示意图。
图3为本发明的右视图示意图。
图4为本发明的滚筒结构示意图。
图5为本发明的手动门安装示意图。
具体实施方式
为了使本发明的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
如图1~5所示,一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座2、后底座1,所述前底座2、后底座1平行设置,所述前底座2、后底座1上安装有托辊9,所述托辊9上设有滚筒3,所述滚筒3一端设有驱动盘6、另一端上设有手动门36,驱动盘6通过皮带11连接于电机12,滚筒3通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒3中部设有筛孔33,所述筛孔33外侧设有密封罩4,密封罩4下侧设有出料口5,出料口5上设有出料斗14。
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