[发明专利]InGaN/GaN多量子阱太阳能电池

权利要求书

1.一种InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括：

包含台面区域的多量子阱结构的外延片，该多量子阱结构的外延片自下而上依次包含：基底；本征GaN缓冲层；第一N型GaN层；以及台面区域，该台面区域自下而上包含：第二N型GaN层，四周经刻蚀形成台面隔离；In_xGa_1-xN/GaN多量子阱吸收层；以及P型GaN层；

金属纳米颗粒阵列，分布于多量子阱结构的外延片的台面区域上表面；以及

电流扩展层，覆盖于所述金属纳米颗粒阵列的上方；

其中，该InGaN/GaN多量子阱太阳能电池施加有外部压力产生的应力以使得InGaN/GaN多量子阱太阳能电池被弯曲，受到等离子体和压电效应耦合作用的综合调控。

2.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，还包括：

N型电极，位于第一N型GaN层之上；以及

P型电极，位于电流扩展层之上。

3.根据权利要求1所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中，所述金属纳米颗粒阵列为Ag纳米颗粒阵列。

4.根据权利要求2所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中，所述金属纳米颗粒阵列为Ag纳米颗粒阵列。

5.根据权利要求3所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中，所述Ag纳米颗粒阵列中Ag纳米颗粒的吸收峰位小于In_xGa_1-xN/GaN多量子阱吸收层的发光峰位。

6.根据权利要求4所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中，所述Ag纳米颗粒阵列中Ag纳米颗粒的吸收峰位小于In_xGa_1-xN/GaN多量子阱吸收层的发光峰位。

7.根据权利要求1至6任一项所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中，所述In_xGa_1-xN/GaN多量子阱吸收层的发光区间为：390nm～760nm。

8.根据权利要求1至6任一项所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中：

所述In_xGa_1-xN/GaN多量子阱吸收层中量子阱的周期数量介于5～100之间；和/或

所述In_xGa_1-xN中x介于0.15～0.3之间。

9.根据权利要求7所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中：

所述In_xGa_1-xN/GaN多量子阱吸收层中量子阱的周期数量介于5～100之间；和/或

所述In_xGa_1-xN中x介于0.15～0.3之间。

10.根据权利要求1至6任一项所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中，所述电流扩展层的材料为：导电的氧化铟锡，该电流扩展层的厚度介于100nm～260nm之间。

11.根据权利要求2、4或6所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中：

所述N型电极为环形电极；

所述P型电极为栅格阵列，包含若干个栅格，其中，每个栅格的宽度介于35～45μm之间，相邻两个栅格中心之间的距离介于380μm～420μm之间；或者

所述N型电极、P型电极为插指形电极。

12.根据权利要求2、4或6所述的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，其中：

所述N型电极的材料为：Ti/Al/Ti/Au；

所述P型电极的材料为Ni/Au。