[发明专利]量子点发光器件及制备方法、量子点发光显示装置

说明书

本公开提供一种量子点发光器件及其制备方法、以及QLED显示装置，涉及显示技术领域。该量子点发光器件包括：第一电极和第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层；位于所述量子点发光层与所述第一电极之间的第一空穴传输层；位于所述第一空穴传输层与所述第一电极之间的空穴注入层；位于所述量子点发光层与所述第二电极之间的电子传输层；以及位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间且嵌入至所述量子点发光层中的填充层。本公开可有效的阻止漏电，从而达到降低电流密度的效果。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法、以及量子点发光显示装置。

背景技术

随着量子点技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diode，量子点电致发光二极管)在显示领域的应用前景也日渐光明。在QLED的发展前期，仅以量子点发光层材料代替有机发光层材料，但仍保留有机空穴传输层和有机电子传输层，这样形成的器件结构效率偏低。高效的QLED器件始于采用TiO₂纳米粒子或者ZnO纳米粒子作为电子传输层，这样可使QLED的效率达到EQE(ExternalQuantum Efficiency，外量子效率)10％以上。

但是，由于纳米粒子的成膜性较差，因此纳米粒子膜中难以避免针孔(pinhole)的产生，而且含有多层纳米粒子膜的QLED器件中由于pinhole的存在容易产生漏电，从而导致电流密度偏大，约高出OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)一个数量级以上，这就使得QLED器件的效率以及寿命均会受到影响。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种量子点发光器件及其制备方法、以及量子点发光显示装置，以用于解决现有QLED器件由于纳米粒子膜中有pinhole而造成的容易漏电的问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种量子点发光器件，包括：

第一电极和第二电极；

位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层；

位于所述量子点发光层与所述第一电极之间的第一空穴传输层；

位于所述第一空穴传输层与所述第一电极之间的空穴注入层；

位于所述量子点发光层与所述第二电极之间的电子传输层；

以及位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间且嵌入至所述量子点发光层中的填充层。

本公开的一种示例性实施例中，所述填充层包括第二空穴传输层。

本公开的一种示例性实施例中，所述第二空穴传输层的材料的能级与所述第一空穴传输层的材料的能级匹配。

本公开的一种示例性实施例中，第二空穴传输层的材料的能级在位于第一空穴传输层的材料的能级与量子点材料的能级之间。

所述第二空穴传输层的材料与所述第一空穴传输层的材料相同。

本公开的一种示例性实施例中，所述填充层的厚度小于5nm。

本公开的一种示例性实施例中，所述电子传输层包括由纳米粒子构成的传输层薄膜，所述纳米粒子包括二氧化钛纳米粒子、氧化锌纳米粒子、镁掺杂氧化锌纳米粒子或者铝掺杂氧化锌纳米粒子。