[发明专利]一种阵列基板及制备方法在审
| 申请号： | 201810223632.2 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108447873A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 韩约白 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属遮光层 多晶硅层 阵列基板 膜层 制备 边缘位置 产品良率 厚度均一 基板表面 电性 基板 投影 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
金属遮光层，设置于所述基板表面；
多晶硅层，设置于所述金属遮光层之上；
其中，所述金属遮光层的面积大于等于所述多晶硅层的面积，且所述多晶硅层在所述金属遮光层上的投影落入所述金属遮光层的范围内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的形状为U形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的宽度比所述多晶硅层的宽度宽0.5微米～2微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的边缘为直线、折线或者弧线。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的形状为矩形或梯形。
6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S 1、提供一基板，在所述基板上制备间隔分布的金属遮光层；
步骤S2、在所述基板上制备一层与所述金属遮光层厚度相同的缓冲层，进行图案化，将对应所述金属遮光层上方的所述缓冲层去除，形成与所述金属遮光层同平面的缓冲层图案；
步骤S3、在所述缓冲层图案以及所述金属遮光层上再制备一层预设厚度的缓冲层；
步骤S4、在所述缓冲层上对应所述金属遮光层的相应位置制备多晶硅层，其中，形成的所述多晶硅层的膜层厚度均一。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属遮光层的形状为U形或矩形，或者梯形。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属遮光层的边缘为直线、折线或者弧线。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层在所述基板上的投影落入所述金属遮光层在所述基板上的投影的范围内。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层在所述基板上的投影与所述金属遮光层在所述基板上的投影不完全重叠。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
