[发明专利]用于去除表面上的残余物的清洗调配物

权利要求书

1.一种无腐蚀性的用于去除半导体基板上的残余物的清洁组合物，所述清洁组合物由以下组成：

1)所述组合物按重量计的0.5％至20％的量的羟基胺；

2)所述组合物按重量计的0.01％至1％的量的至少一种第一螯合剂，所述第一螯合剂是多氨基多羧酸；

3)所述组合物按重量计的0.05％至1％的量的至少一种金属腐蚀抑制剂，所述金属腐蚀抑制剂为经取代或未经取代的苯并三唑；

4)至少一种有机溶剂，所述有机溶剂选自由水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯和水溶性醚组成的组，所述至少一种有机溶剂的量为所述组合物按重量计的1％至30％；

5)水；和

6)任选地，至少一种pH调节剂，所述pH调节剂是不含金属离子的碱；

其中，所述组合物的pH为6至9.5。

2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物的pH为6.5至9.5。

3.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述羟基胺为所述组合物按重量计的3％至10％。

4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述多氨基多羧酸选自由以下组成的组：单-或聚亚烷基聚胺聚羧酸、聚氨基烷烃聚羧酸、聚氨基烷醇聚羧酸和羟基烷基醚聚胺聚羧酸。

5.根据权利要求4所述的组合物，其特征在于，所述多氨基多羧酸为二乙三胺五乙酸。

6.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述多氨基多羧酸为所述组合物按重量计的0.3％至0.7％。

7.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述至少一种金属腐蚀抑制剂包含任选地被至少一种取代基取代的苯并三唑，所述取代基选自由以下组成的组：烷基基团、芳基基团、卤素基团、氨基基团、硝基基团、烷氧基基团和羟基基团。

8.根据权利要求7所述的组合物，其特征在于，所述至少一种金属腐蚀抑制剂包含5-甲基苯并三唑。

9.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述至少一种金属腐蚀抑制剂为所述组合物按重量计的0.1％至0.5％。

10.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述至少一种有机溶剂包含乙二醇丁醚。

11.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述至少一种有机溶剂为所述组合物按重量计的1％至15％。

12.根据权利要求1所述的组合物，所述组合物还包含至少一种pH调节剂，所述pH调节剂是不含金属离子的碱。

13.根据权利要求12所述的组合物，其特征在于，所述至少一种pH调节剂包含1,8-二氮杂二环[5.4.0]-7-十一烯。

14.根据权利要求12所述的组合物，其特征在于，所述至少一种pH调节剂为所述组合物按重量计的0.1％至3％。

15.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物由羟基胺、二乙三胺五乙酸、5-甲基苯并三唑、1,8-二氮杂二环[5.4.0]-7-十一烯、乙二醇丁醚和水组成。