[发明专利]具有非易失性存储能力的存储结构及其操作方法

权利要求书

1.一种静态存储单元，包括：

包括第一晶体管元件和非易失性存储元件的第一反相器结构，所述第一反相器结构包括第一输入和第一输出；

串联连接在所述非易失性存储元件与参考电压之间的第二晶体管元件；

具有第二输入和第二输出的第二反相器结构，所述第二输出连接到所述第一输入以及所述第二输入连接到所述第一输出；以及

并联连接到所述非易失性存储元件的切换元件，以便能够控制所述非易失性存储元件的第一端子和第二端子的桥接。

2.根据权利要求1所述的静态存储单元，其中所述非易失性存储元件包括铁电晶体管元件。

3.根据权利要求1所述的静态存储单元，其中所述第一晶体管元件为P沟道晶体管并且所述参考电压为相对意义上的低电源电压。

4.根据权利要求1所述的静态存储单元，其中所述第一晶体管元件为N沟道晶体管并且所述参考电压为相对意义上的高电源电压。

5.根据权利要求1所述的静态存储单元，进一步包括连接到所述第一输出并且被配置为将所述第一输出暂时驱动到期望的逻辑状态的传输门。

6.根据权利要求1所述的静态存储单元，其中所述第二反相器结构包括第二非易失性存储元件。

7.根据权利要求6所述的静态存储单元，进一步包括串联连接在所述第二非易失性存储元件与所述参考电压之间的第三晶体管元件。

8.根据权利要求7所述的静态存储单元，进一步包括连接到所述第一输出的第一数据输入/输出和连接到所述第二输出的第二数据输入/输出，其中所述第一数据输入/输出在逻辑上与所述第二数据输入输出相反。

9.根据权利要求7所述的静态存储单元，进一步包括并联连接到所述第二非易失性存储元件的第二切换元件，以便能够控制所述第二非易失性存储元件的第一端子和第二端子的桥接。

10.根据权利要求1所述的静态存储单元，其中所述切换元件是具有栅电极的场效应晶体管，所述栅电极连接到相对意义上的高电源电压和相对意义上的低电源电压中的一者，而所述参考电压是高电源电压和低电源电压中的另一者。

11.根据权利要求1所述的静态存储单元，其中所述切换元件是具有连接到所述输入的栅电极的场效应晶体管。

12.一种一位存储结构，包括：

第一晶体管元件，其具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子，所述第一源极端子连接到相对意义上的低电源电压和相对意义上的高电源电压中的一者；

第二晶体管元件，其具有第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子，所述第二源极端子连接到低电源电压和高电源电压中的另一者；

至少具有第一端子和第二端子的非易失性存储元件，所述第一端子连接到所述第一晶体管元件的所述第一漏极端子，并且所述第二端子连接到所述第二晶体管元件的所述第二漏极端子，所述第一端子和所述第一漏极端子形成输出节点；以及

并联晶体管元件，其中所述并联晶体管元件具有连接到所述非易失性存储元件的所述第一和第二端子中的一者的漏极端子和连接到所述非易失性存储元件的所述第一和第二端子中的另一者的源极端子。

13.根据权利要求12所述的一位存储结构，其中所述非易失性存储元件为铁电晶体管。

14.根据权利要求13所述的一位存储结构，其中所述第一和第二栅极端子彼此电连接。

15.根据权利要求12所述的一位存储结构，进一步包括将所述输出节点至少与所述第一和第二栅极端子连接的反相器结构。