[发明专利]一种基于椭球谐函数理论的电离层垂直总电子含量建模方法有效
申请号: | 201810223959.X | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN108491616B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 胡伍生;孙博;龙凤阳;董彦锋 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G01S19/42;G01S19/37 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 饶欣 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 椭球 函数 理论 电离层 垂直 电子 含量 建模 方法 | ||
1.一种基于椭球谐函数理论的电离层垂直总电子含量建模方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1:获取区域观测点的穿刺点地理经度、穿刺点地理纬度和穿刺点垂直方向的电子含量;
S2:对地心纬度进行归化计算;
S3:选定椭球谐函数的阶数,采用椭球谐函数建立区域电离层垂直总电子含量模型;
S4:通过最小二乘法计算区域电离层垂直总电子含量模型的参数,对区域电离层垂直总电子含量模型进行修正;
所述步骤S2中,通过以下方法对地心纬度进行归化计算:
首先根据式(1)计算出归化后地心纬度的余角θ:
其中,E为线性偏心率,u为椭球坐标系中椭球的短轴,a为地心纬度的余角;
然后根据式(2)计算出归化后的地心纬度θ':
所述步骤S3中,根据式(3)建立区域电离层垂直总电子含量模型:
其中,VTEC为区域电离层垂直总电子含量,θ为归化后地心纬度的余角,λ为地心经度;anm、bnm为未知的椭球谐函数系数,即待求的全球或区域性VTEC参数,n为椭球谐函数的度数,m为椭球谐函数的阶数;Pmn(cosθ)为经典拉格朗日函数。
2.根据权利要求1所述的基于椭球谐函数理论的电离层垂直总电子含量建模方法,其特征在于:所述anm、bnm通过式(4)计算得到:
其中,0≤m≤2,0≤n≤2,A如式(5)所示,l是VTEC矩阵;
其中,为n度m阶的归化拉格朗日函数,MC(n,m)为归化函数,即δ0m为Kronecker型的δ函数,为经典拉格朗日函数;N'为所选取的建立模型的数据数量,1≤i1≤N′,为第i1个归化后地心纬度的余角,为第i1个地心经度。
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