[发明专利]加工方法在审
申请号: | 201810224063.3 | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN108630536A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 田渕智隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被加工物 粘贴 槽形成 加工 喷射 激光加工装置 分割预定线 切削刀具 喷射物 板状 堵塞 分割 | ||
提供加工方法,在对形成有膜的板状的被加工物进行分割的情况下,不使切削刀具产生堵塞并且不利用激光加工装置而能够对被加工物进行加工。该加工方法具有如下的步骤:槽形成步骤,从被加工物(W)的正面(W1a)沿着分割预定线(S)形成槽(M1);扩展片粘贴步骤,在实施了槽形成步骤之后,在被加工物(W)的正面(W1a)上粘贴扩展片(T3);扩展步骤,在实施了扩展片粘贴步骤之后,对扩展片(T3)进行扩展;以及喷射步骤,在实施了扩展步骤之后,对被加工物(W)的膜(W2)喷射喷射物(P)。
技术领域
本发明涉及加工方法,是设定有多条分割预定线并且在板状物的背面上形成有膜的被加工物的加工方法。
背景技术
当利用切削刀具对具有金属膜、树脂膜等特别是具有延展性的膜的板状物进行切削时,切削刀具会产生因膜而导致的堵塞。因此,提出了在实施切削加工之前预先利用激光束将上述膜去除的方法(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2016-42526号公报
但是,当利用激光束将膜去除时,存在产生碎屑的问题,而且由于通常利用昂贵的激光加工装置进行加工,还存在制造成本升高的问题。
由此,在对形成有膜的板状的被加工物进行加工的情况下,存在下述课题:不使切削刀具产生堵塞并且不利用激光加工装置而能够对被加工物进行加工。
发明内容
本发明的目的在于提供加工方法,是设定有多条分割预定线并且在板状物的背面上形成有膜的被加工物的加工方法。
为了解决上述课题的本发明是一种加工方法,是设定有多条分割预定线并且在板状物的背面上形成有膜的被加工物的加工方法,其中,该加工方法具有如下的步骤:槽形成步骤,从被加工物的正面沿着该分割预定线形成槽;扩展片粘贴步骤,在实施了该槽形成步骤之后,在被加工物的正面上粘贴扩展片;扩展步骤,在实施了该扩展片粘贴步骤之后,对该扩展片进行扩展;以及喷射步骤,在实施了该扩展步骤之后,对被加工物的该膜喷射喷射物。
本发明的加工方法优选具有如下的第一喷射步骤:在实施所述扩展步骤之前,对被加工物的所述膜喷射喷射物。
优选所述喷射物包含固态二氧化碳颗粒。
本发明的加工方法具有如下的步骤:槽形成步骤,从被加工物的正面沿着分割预定线形成槽;扩展片粘贴步骤,在实施了槽形成步骤之后,在被加工物的正面上粘贴扩展片;扩展步骤,在实施了扩展片粘贴步骤之后,对扩展片进行扩展;以及喷射步骤,在实施了扩展步骤之后,对被加工物的膜喷射喷射物,因此不利用激光加工装置并且也不使切削刀具产生因膜而导致的堵塞,而能够对膜进行分割且将膜的沿着槽的区域、即膜中的从芯片探出的部分去除而由被加工物制作芯片。另外,在通过进行扩展而预先部分地或整体地对膜进行了分割之后,利用喷射物将膜中的从芯片探出的部分去除,因此能够有效地将该探出部分从芯片去除。
另外,在本发明的加工方法中,具有如下的第一喷射步骤:在实施扩展步骤之前,对被加工物的膜喷射喷射物,从而在利用喷射物部分地或整体地对膜进行了分割之后,进行扩展而将槽的间隔扩展,然后利用喷射物将膜中的从芯片探出的部分去除,因此能够更有效地将该探出部分去除而由被加工物制作芯片。
另外,通过使喷射物包含固态二氧化碳颗粒,从而能够更容易地利用喷射物的喷射进行膜的分割或膜中的从芯片探出的部分的去除。
附图说明
图1是示出被加工物的一例的侧视图。
图2是示出使用切削装置对被加工物形成槽的状态的剖视图。
图3是将形成于被加工物的槽的一例放大示出的剖视图。
图4是示出用于对被加工物形成槽的等离子蚀刻装置的一例的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造