[发明专利]电力转换装置

权利要求书

1.一种电力转换装置，包括：

高电位线和低电位线；

上臂半导体器件，连接至所述高电位线；

下臂半导体器件，与所述上臂半导体器件串联连接并且连接至所述低电位线；以及

电容器，连接在所述高电位线和所述低电位线之间，其中

互相串联连接的所述上臂半导体器件和所述下臂半导体器件中的至少一个构建并联体，所述并联体由两个或更多个并联连接的开关元件构成；

回流元件至少设置在与由所述上臂半导体器件和所述下臂半导体器件中的所述并联体构成的臂相对的相对臂中，所述回流元件允许电流从低电位线侧流向高电位线侧；

构建所述并联体的所述开关元件被控制为使得断开定时互相不同；

在构建所述并联体的所述开关元件中标识最后断开的最后断开元件和作为其他元件的非最后断开元件；

其中电流经过所述最后断开元件、在与所述最后断开元件相对的相对臂中的所述回流元件和所述电容器的最后断开闭合电路的电感小于其中电流经过与所述最后断开元件并联连接的所述非最后断开元件、在与所述最后断开元件相对的相对臂中的所述回流元件和所述电容器的非最后断开闭合电路的电感，

构建所述并联体的所述开关元件被控制为使得接通定时互相不同；

所述最后断开元件是被控制成在构建所述并联体的所述开关元件中首先接通的开关元件。

2.根据权利要求1所述的电力转换装置，其中：

构建所述并联体的所述开关元件由SiC-MOSFET和Si-IGBT构成。

3.根据权利要求2所述的电力转换装置，其中：

所述最后断开元件由SiC-MOSFET构成并且所述非最后断开元件由Si-IGBT构成。

4.根据权利要求2所述的电力转换装置，其中：

所述最后断开元件由Si-IGBT构成并且所述非最后断开元件由SiC-MOSFET构成。

5.根据权利要求1所述的电力转换装置，其中

所述最后断开元件、所述非最后断开元件和所述回流元件安装在半导体模块；

所述最后断开元件和所述非最后断开元件分别安装在最后断开模块和非最后断开模块上，所述最后断开模块和所述非最后断开模块被配置成互相独立的单独的半导体模块；并且

所述最后断开闭合电路和所述非最后断开闭合电路各自包括所述半导体模块，所述电容器和汇流条连接至所述半导体模块，包含在所述最后断开闭合电路中的所述汇流条的总电感小于包含在所述非最后断开闭合电路中的所述汇流条的总电感。

6.根据权利要求5所述的电力转换装置，其中：

所述上臂半导体器件和所述下臂半导体器件分别安装在上臂模块和下臂模块，所述上臂模块和所述下臂模块由所述单独的半导体模块构成；

所述上臂模块和所述下臂模块通过中间汇流条互相连接，所述上臂模块通过构建所述高电位线的高电位汇流条连接至所述电容器，所述下臂模块通过构建所述低电位线的低电位汇流条连接至所述电容器；并且

包含在所述最后断开闭合电路中的高电位汇流条、低电位汇流条和中间汇流条的总电感小于包含在所述非最后断开闭合电路中的高电位汇流条、低电位汇流条和中间汇流条的总电感。

7.根据权利要求5所述的电力转换装置，其中：

所述上臂半导体和所述下臂半导体安装在公共模块作为由其共用的半导体模块，所述公共模块通过构建所述高电位线的所述高电位汇流条、和构建所述低电位线的所述低电位汇流条连接至所述电容器；并且

包含在所述最后断开闭合电路中的高电位汇流条和低电位汇流条的总电感小于包含在所述非最后断开闭合电路中的高电位汇流条和低电位汇流条的总电感。

8.根据权利要求6所述的电力转换装置，其中

所述最后断开模块比所述非最后断开模块距离所述电容器更近，所述非最后断开模块与所述最后断开模块并联连接。