[发明专利]掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，掩模板，包括：半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。本发明的技术方案能够制作高分辨率的OLED显示基板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

现有技术在制作OLED显示基板的有机发光层时，一般是将FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩模板)贴附在待蒸镀基板上，采用蒸镀的方式将不同颜色的有机发光层制作在对应的位置处，实现整个OLED显示基板的全彩显示。由于FMM采用金属制成，需要通过刻蚀工艺来制作FMM，而金属刻蚀工艺的精度限制了FMM的精度，使得利用FMM不能制作高分辨率(大于300PPI)的OLED显示基板。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置，能够制作高分辨率的OLED显示基板。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种掩模板，包括：

半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；

位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。

进一步地，所述掩模板本体包括：

第一半导体基底；

第二半导体基底；

位于所述第一半导体基底和第二半导体基底之间的键合层；

其中，所述第一半导体基底的厚度大于所述第二半导体基底的厚度。

进一步地，所述第一半导体基底采用Si，所述第二半导体基底采用Si，所述键合层采用SiN或SiON；或

所述第一半导体基底采用GaAs，所述第二半导体基底采用GaAs，所述键合层采用SiN或SiON。

进一步地，所述第一半导体基底的厚度为350-450um，所述第二半导体基底的厚度为40-60um。

进一步地，所述磁性半导体材料层采用掺杂有Mn离子的半导体材料。

本发明实施例还提供了一种掩模板的制作方法，包括：

提供一半导体材料制成的掩模板本体；

在掩模板本体上形成磁性半导体材料层；

对所述掩模板本体和所述磁性半导体材料层进行干法刻蚀，在所述掩模板本体上形成多个第一开口，在所述磁性半导体材料层上形成多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。

进一步地，所述提供一半导体材料制成的掩模板本体包括：

提供一第一半导体基底；

在所述第一半导体基底上制作键合层；

在所述键合层上制作第二半导体基底，所述第一半导体基底的厚度大于所述第二半导体基底的厚度。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

将如上所述的掩模板与待蒸镀基板进行对位；

施加磁场，使得所述掩模板在磁场的作用下贴合在所述待蒸镀基板上；