[发明专利]沟槽金氧半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽金氧半导体元件，其特征在于，包括：

基底，定义有主动区及终端区，且具有自所述主动区延伸至所述终端区的沟槽；

第一电极，位于所述沟槽中，且具有延伸至所述终端区中的延伸部；

第二电极，位于所述沟槽中，且位于所述第一电极上，其中所述基底、所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离；

第一掺杂区与第二掺杂区，分离设置于所述延伸部中；

第一金属层，设置于所述基底上，且电性连接于所述第一掺杂区与所述第二电极；以及

第二金属层，设置于所述基底上，且电性连接于所述第二掺杂区与所述第一电极，

其中所述第一金属层与所述第二金属层中的一者延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，且与至少部分所述第一掺杂区的正投影及至少部分所述第二掺杂区的正投影交叠。

2.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述第一金属层延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的正投影上方，且所述第二金属层通过一个接触栓同时电性连接于所述第二掺杂区与所述延伸部。

3.根据权利要求1所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，还包括：

第一井区，位于所述延伸部中，且具有第二导电型，其中所述第一掺杂区位于所述第一井区中；以及

第二井区，位于所述延伸部中，且具有所述第二导电型，其中所述第二掺杂区位于所述第二井区中。

4.根据权利要求3所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述第二金属层延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的正投影上方，且所述第一金属层通过一个接触栓同时电性连接于所述第一掺杂区与所述第一井区。

5.根据权利要求3所述的沟槽金氧半导体元件，其特征在于，所述第一金属层延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的正投影上方，且所述第二金属层通过一个接触栓同时电性连接于所述第二掺杂区与所述第二井区。

6.一种沟槽金氧半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底定义有主动区及终端区，且具有自所述主动区延伸至所述终端区的沟槽；

在所述沟槽中形成第一电极，其中所述第一电极具有延伸至所述终端区中的延伸部；

在所述沟槽中的所述第一电极上形成第二电极，其中所述基底、所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离；

在所述延伸部中形成彼此分离的第一掺杂区与第二掺杂区；

在所述基底上形成电性连接于所述第一掺杂区与所述第二电极的第一金属层；以及

在所述基底上形成电性连接于所述第二掺杂区与所述第一电极的第二金属层，其中

所述第一金属层与所述第二金属层中的一者延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，且与至少部分所述第一掺杂区的正投影及至少部分所述第二掺杂区的正投影交叠。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一金属层延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的正投影上方，且还包括：

提供一个接触栓，同时电性连接所述第二金属层、所述第二掺杂区与所述延伸部。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述延伸部中形成第一井区，其中所述第一井区具有第二导电型，且所述第一掺杂区位于所述第一井区中；以及

在所述延伸部中形成第二井区，其中所述第二井区具有所述第二导电型，且所述第二掺杂区位于所述第二井区中。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第二金属层延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的正投影上方，且还包括：

提供一个接触栓，同时电性连接所述第一金属层、所述第一掺杂区与所述第一井区。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一金属层延伸设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的正投影上方，且还包括：

提供一个接触栓，同时电性连接所述第二金属层、所述第二掺杂区与所述第二井区。