[发明专利]套刻标记及其可靠性验证方法

权利要求书

1.一种套刻标记可靠性验证方法，其特征在于，包括如下步骤：

根据形成在第一层中的第一测量标记和形成在第二层中的第二测量标记计算第二层的套刻参数；其中，所述第二层形成在所述第一层之后；

根据所述第二层的套刻参数计算套刻补偿值以得到第一补偿参数A，所述第一补偿参数A包括平移参数和扩张参数；

将所述第一补偿参数A中的平移参数加上第一预设值K得到第二补偿参数B；

采用所述第一补偿参数A曝光第一晶圆；

采用所述第二补偿参数B曝光第二晶圆；

判断下述式(1)与式(2)是否同时成立，若是，则确认第二层的套刻参数量测结果可信；

A1＝A2 (1)

B1＝B2 (2)

上式中，A1表示利用套刻标记在线直接量测得到的经曝光的第一晶圆的套刻参数，A2表示根据第一晶圆中第一层目标图形和第二层目标图形的实际位置量测得到的套刻参数，B1表示利用套刻标记在线直接量测得到的经曝光的第二晶圆的套刻参数，B2表示根据第二晶圆中第一层目标图形和第二层目标图形的实际位置计算得到的套刻参数。

2.根据权利要求1所述的套刻标记可靠性验证方法，其特征在于，还包括如下步骤：

将所述第一补偿参数A中的扩张参数加上第二预设值M得到第三补偿参数C；

采用所述第三补偿参数C曝光第三晶圆；

判断下述式(3)与式(4)是否同时成立，若是，则确认第二层的套刻参数补偿结果可信；

A1+M×R＝C1 (3)

A1+K＝B1 (4)

式中，R表示第一晶圆和第三晶圆相同位置的功能单元与对应的晶圆中心的距离，C1表示利用套刻标记在线直接量测得到的经曝光的第三晶圆的套刻参数。

3.根据权利要求2所述的套刻标记可靠性验证方法，其特征在于，所述平移参数为X方向平移参数，所述扩张参数为X方向扩张参数；或者，所述平移参数为Y方向平移参数，所述扩张参数为Y方向扩张参数；所述X方向垂直于所述Y方向。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的套刻标记可靠性验证方法，其特征在于，所述利用套刻标记在线直接量测是指通过机台直接进行测量，所述根据第一层目标图形和第二层目标图形的实际位置量测是指通过SEM切片进行量测。