[发明专利]一种阵列微坑结构的固态电解加工方法及其固态电解质和制备方法

权利要求书

1.一种阵列微坑结构的固态电解加工方法，其特征在于，将待加工工件安装于微细电解加工平台的阳极上，将具有特定形貌的固态电解质膜安装于待加工工件上，将阴极安装于具有特定形貌的固态电解质膜上，通过加工平台沿Z方向调整阴极位置，使得阴极与具有特定形貌的固态电解质膜和工件保持紧密接触，其中具有特定形貌的固态电解质膜的特定形貌结构与待加工工件表面接触，即具有特定形貌的固态电解质膜表面的阵列式凸起与待加工工件表面接触，安装后，打开微细电解加工平台的电源，进行固态电解加工，以使与具有特定形貌的固态电解质膜表面的阵列式凸起接触的待加工工件表面形成阵列微坑结构；

其中，具有特定形貌的固态电解质膜的制备：将固态电解质与去离子水混合均匀，固态电解质与去离子水的质量比为1：(1-1.5)，通过加热升温至20-60摄氏度，机械搅拌或者电磁搅拌1-3小时后，形成透明的均匀胶状液体，再将所述胶状液体倒入培养皿中烘干成膜，烘干后的固态电解质膜通过热压印后，即可获得具有特定形貌的固态电解质膜，热压印工艺参数为：温度为60-80℃，压力为20-25×10⁵Pa，时间为1-5min；

其中，固态电解质由硝酸钠和PEO组成，硝酸钠的质量百分数为25-40％，PEO的质量百分数为60-75％。

2.根据权利要求1所述的一种阵列微坑结构的固态电解加工方法，其特征在于，阴极、阳极均为20×20×1mm的黄铜片，进行固态电解加工时，工艺参数为：加工电压为3-5V，压力为6-10mN，加工时间为20-30min，环境温度为20-25℃。

3.根据权利要求1所述的一种阵列微坑结构的固态电解加工方法，其特征在于，去离子水选用电阻率大于0.5MΩ·cm的去离子水；将固态电解质与去离子水进行混合均匀时，固态电解质与去离子水的质量比为1：(1-1.2)；加热温度升温至20-30摄氏度。

4.根据权利要求1所述的一种阵列微坑结构的固态电解加工方法，其特征在于，使用热压印装置对固态电解质膜进行压印，即可得到具有特定形貌的固态电解质膜，用于固态电解加工，通过热压印加工以使固态电解质膜表面形成阵列式凸起，热压印工艺参数为：温度为70-80℃，压力为20-25×10⁵Pa，时间为1-2min。

5.根据权利要求1所述的一种阵列微坑结构的固态电解加工方法，其特征在于，硝酸钠的质量百分数为30-40％，PEO的质量百分数为60-70％。

6.根据权利要求5所述的一种阵列微坑结构的固态电解加工方法，其特征在于，PEO的数均分子量为10-20万；硝酸钠和PEO为粉末，纯度大于等于99％。

7.根据权利要求6所述的一种阵列微坑结构的固态电解加工方法，其特征在于，PEO的数均分子量15-20万。