[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备在审
| 申请号： | 201810226568.3 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110289226A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 白志民;李强;邓斌;彭文芳;魏延宝;王伟;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工艺腔室 灯罩 半导体处理设备 待处理工件 预定波长 发热量 处理介质层 发光单元 发光效率 介电常数 腔室本体 朝向腔 裂解 排布 体内 灵活 维护 | ||
1.一种工艺腔室，包括腔室本体和LED灯源，所述LED灯源用于朝向所述腔室本体内的待处理工件发出光线，其特征在于，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够朝向所述待处理工件发出预设波长的光线。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述LED芯片在所述灯罩内呈圆环形排列。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述LED芯片在多个等间距的同心圆上均匀排布。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，沿直径最大的圆的周向，每隔预设角度作直径线，所述直径线与每个圆相交处均设置有所述LED芯片。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述直径最大的圆在所述待处理工件表面所处水平面上的正投影面积大于或等于所述待处理工件的表面积。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述预设波长包括245nm、275nm、365nm、385nm或405nm中的至少一种。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述灯罩的截面呈矩形，所述LED芯片位于所述灯罩的底壁上。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，还包括旋转机构，所述旋转机构与所述LED灯源可转动连接，以带动所述LED灯源相对所述腔室本体旋转。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述待处理工件包括待处理介质层，所述LED灯源用于降低所述待处理介质层的介电常数。
10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的工艺腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
