[发明专利]近匹配角Al掺杂CsLiB6O10晶体的生长方法及光学应用

权利要求书

1.一种近匹配角Al掺杂CsLiB₆O₁₀晶体的生长方法，其特征在于，将匹配角φ＝45°,θ＝61.9°方向切割的CsLiB₆O₁₀晶体作为籽晶，生长CsLiB₆O₁₀晶体。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)按摩尔比CsLiB₆O₁₀：Cs：Li：Mo：Al₂O₃＝(1.0～6.0)：(0.1～1)：(0.1～0.5)：2：(0.01～0.80)称量原料，其中以Cs₂O或Cs₂CO₃为铯源，以Li₂O或Li₂CO₃为锂源，以MoO₃或MoCO₃为钼源，将各原料混合，加热熔化；

2)将步骤1)得到的生长原料升温至820～880℃，恒温40～54h，调整温度至饱和点温度以上0.5～10℃，恒温1～2h后，降温至饱和点温度，将籽晶伸入液面；

3)从饱和点温度开始降温，同时旋转晶体，使晶体长大；

4)晶体生长完成后，提出籽晶杆，使晶体脱离熔体液面，降至室温，得到近匹配角Al掺杂CsLiB₆O₁₀晶体。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，步骤1)中，按原料摩尔比CsLiB₆O₁₀：Cs₂CO₃：Li₂O：MoO₃：Al₂O₃＝(2.0～4.0)：1：1：2：(0.05～0.20)配料并混合均匀，倒入坩埚中，在马弗炉中熔化，然后放在室温下冷却，得到晶体生长原料。

4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，步骤2)为，将步骤1)得到的生长原料转移到单晶生长炉中，升温至820～880℃，恒温40～54h，调整温度至饱和点温度以上0.5～10℃，恒温1～2h后，降温至饱和点温度，将已固定在籽晶杆上的籽晶缓慢下到距离液面下1～3mm处。

5.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，步骤3)中，降温速率为0.05～0.1℃/天，同时旋转晶体，转速为30～60rpm。

6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，步骤3)中，旋转晶体的转速先快后慢，开始转速为50～60rpm，在观察到晶体明显长大后，将转速降为30～40rpm。

7.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，晶体生长时间为20～48天，晶体生长完成后，以7～12℃/h的速率降至室温。

8.权利要求1～7任一所述的生长方法得到的晶体。

9.权利要求8所述晶体的光学应用，其特征在于，是在权利要求8所述晶体上镀增透膜得到三倍频器件。

10.一种三倍频器件，其特征在于，在所述晶体的入射面镀1064nm和/或532nm的增透膜，在所述晶体的出射面镀355nm的增透膜。