[发明专利]光掩模和光掩模坯以及光掩模的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模，其特征在于，

该光掩模具有：在透明基板上由半透膜构成的半透过区域；从所述透明基板侧依次层叠使曝光光的相位反转的相移膜和所述半透膜的层叠区域；以及露出所述透明基板的透明区域，

所述层叠区域具有与所述半透过区域相接的边界部或与所述透明区域相接的边界部，或者，具有与所述半透过区域相接的边界部和与所述透明区域相接的边界部，

所述半透过区域对于曝光光的光透过率大于所述层叠区域对于曝光光的光透过率，小于所述透明基板对于曝光光的光透过率，

所述半透膜的相移角是0.1度以上20度以下。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，

在将所述透明基板对于曝光光的光透过率设为100％的情况下，所述层叠区域对于曝光光的光透过率为1％～8％。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，

在所述层叠区域与所述透明区域接触的边界部，所述层叠区域中的相移膜的侧壁的至少一部分被所述半透膜覆盖。

4.一种光掩模的制造方法，其特征在于，该光掩模的制造方法包括以下工序：

在透明基板上形成使曝光光的相位反转的相移膜的工序；

在所述相移膜上形成第1光致抗蚀剂的工序；

通过绘图装置对所述第1光致抗蚀剂进行曝光并形成图案，从而形成第1光致抗蚀剂图案的工序；

第1蚀刻工序，将所述第1光致抗蚀剂图案作为掩模，对所述相移膜进行蚀刻，使所述透明基板露出并形成所述相移膜的图案；

去除所述第1光致抗蚀剂的工序；

以覆盖所述相移膜的图案的方式形成半透膜的工序；

在所述半透膜上形成第2光致抗蚀剂的工序；

通过绘图装置对所述第2光致抗蚀剂进行曝光并形成图案，从而形成第2光致抗蚀剂图案的工序；

第2蚀刻工序，将所述第2光致抗蚀剂图案作为掩模，对所述半透膜和所述相移膜进行蚀刻，形成使所述透明基板露出的透明区域、所述半透膜的图案、以及所述相移膜和所述半透膜的层叠图案；以及

去除所述第2光致抗蚀剂的工序，

所述半透膜的相移角为0.1度以上20度以下，并且，

在所述相移膜上形成有所述半透膜的层叠部分与在所述透明基板上直接形成所述半透膜然后成为所述透明区域的部分相邻的区域中，所述第2光致抗蚀剂图案的端部从所述第2蚀刻工序前的所述相移膜的图案的端部起向作为所述层叠图案的一侧后退了规定的距离。

5.根据权利要求4所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述规定的距离为对所述第2光致抗蚀剂进行曝光的绘图装置的重合误差以上。

6.一种光掩模的制造方法，其特征在于，该光掩模的制造方法包括以下工序：

在透明基板上形成使曝光光的相位反转的相移膜的工序；

在所述相移膜上形成光致抗蚀剂的工序；

通过绘图装置对所述光致抗蚀剂进行曝光并形成图案，从而形成光致抗蚀剂图案的工序；

将所述光致抗蚀剂图案作为掩模，对所述相移膜进行蚀刻，使所述透明基板露出并形成所述相移膜的图案的工序；

去除所述光致抗蚀剂的工序；

以覆盖所述相移膜的图案的方式形成半透膜的工序；

在所述半透膜上形成另一光致抗蚀剂的工序；

通过绘图装置对所述另一光致抗蚀剂进行曝光并形成图案，从而形成另一光致抗蚀剂图案的工序；

将所述另一光致抗蚀剂图案作为掩模，对所述半透膜和所述相移膜进行蚀刻，形成使所述透明基板露出的透明区域、所述半透膜的图案、以及所述相移膜和所述半透膜的层叠图案的工序；以及

去除所述另一光致抗蚀剂的工序，

所述半透膜的相移角为0.1度以上20度以下，并且，

所述光致抗蚀剂图案在形成所述半透膜的图案的区域中具有开口部。