[发明专利]荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法

权利要求书

1.荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，所述包括以下步骤：

步骤一、将稀土离子均匀掺入压电材料中，使用高温烧结掺入稀土离子的压电材料得到陶瓷片；

步骤二、将所述的陶瓷片置于暗室环境中，对陶瓷片施加不同强度的外加场并用光源激发陶瓷片，通过收集陶瓷片中的稀土离子在可见波段的发射谱信息能够得到陶瓷片中的压电材料在外加场下的结构相变；

步骤三、根据发射谱信息得到发射谱区间强度积分，从该强度积分中分别提取陶瓷片中稀土离子的电偶极跃迁强度和磁偶极跃迁强度，获得电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值；

步骤四、绘制电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值随暗室环境下外加场的变化曲线，曲线的峰值区间为压电材料结构发生相变的区间。

2.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，稀土离子掺入量占压电材料物质的量的1％～5％。

3.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，稀土离子为Eu³⁺。

4.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，压电材料为钛酸钡基材料。

5.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，步骤一中，使用高温固相烧结法烧结掺入稀土离子的压电材料。

6.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，步骤一中，烧结温度在1300℃～1400℃，烧结持续2–4h。

7.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，步骤二中，光源波长为465nm，步骤三中，从该强度积分中分别提取585nm～602nm波长区间的荧光强度作为稀土离子的磁偶极跃迁强度，提取605nm～630nm波长区间的荧光强度作为稀土离子的电偶极跃迁强度。

8.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，步骤二中，光源激发和收集发射谱信息均使用型号为FluoroMax-4的高灵敏一体式紧凑型荧光光谱仪实现。

9.根据权利要求1所述荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，步骤二中，外加场为外加温度场或外加电场，

当采用外加温度场时，得到的是压电材料的温度结构相变信息；

当采用外加电场时，得到的是压电材料的电致结构相变信息。