[发明专利]图形化衬底、外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810230791.5 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108550673B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锥状凸起 图形化 外延片 衬底 半导体技术领域 外延层边缘 阵列状分布 发光波长 厚度差异 实验对比 生长 均匀性 量子阱 外延层 翘曲 制作 发现 | ||
1.一种图形化衬底，所述图形化衬底的图形包括呈阵列状分布的多个锥状凸起，其特征在于，所述多个锥状凸起包括位于所述图形化衬底的中部的多个第一锥状凸起和位于所述图形化衬底的边缘的多个第二锥状凸起，所述多个第二锥状凸起围绕所述多个第一锥状凸起布置，所述第一锥状凸起和所述第二锥状凸起的形状不同，所述第一锥状凸起呈圆锥状，所述第二锥状凸起呈圆台状，所述第二锥状凸起的顶面上形成有多个圆锥凸起，或者所述第二锥状凸起的顶面为弧状凸面。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一锥状凸起和所述第二锥状凸起的底面直径为0.2um～1.0um。
3.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一锥状凸起和所述第二锥状凸起的高度为0.1um～0.5um。
4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，沿从所述图形化衬底的中部向边缘延伸的任意方向上，所述第二锥状凸起的数量为1～300个。
5.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括如权利要求1～4任一项所述图形化衬底和形成在所述图形化衬底上的外延层。
6.一种图形化衬底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；
对所述掩膜层进行图形化处理，以形成掩膜图形；
利用所述掩膜图形对所述蓝宝石衬底进行刻蚀，以形成图形化衬底，所述图形化衬底的图形包括呈阵列状分布的多个锥状凸起，所述多个锥状凸起包括位于所述图形化衬底的中部的多个第一锥状凸起和位于所述图形化衬底的边缘的多个第二锥状凸起，所述第一锥状凸起和所述第二锥状凸起的形状不同，所述第一锥状凸起呈圆锥状，所述第二锥状凸起呈圆台状，所述第二锥状凸起的顶面上形成有多个圆锥凸起，或者所述第二锥状凸起的顶面为弧状凸面。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶或SiO2。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，利用所述掩膜图形对所述蓝宝石衬底进行刻蚀时，刻蚀溶液为硫酸和磷酸的混合溶液。
9.一种发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一图形化衬底；
在所述图形化衬底上生长外延层，
其中，所述图形化衬底的图形包括呈阵列状分布的多个锥状凸起，所述多个锥状凸起包括位于所述图形化衬底的中部的多个第一锥状凸起和位于所述图形化衬底的边缘的多个第二锥状凸起，所述多个第二锥状凸起围绕所述多个第一锥状凸起布置，所述第一锥状凸起和所述第二锥状凸起的形状不同，所述第一锥状凸起呈圆锥状，所述第二锥状凸起呈圆台状，所述第二锥状凸起的顶面上形成有多个圆锥凸起，或者所述第二锥状凸起的顶面为弧状凸面。
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