[发明专利]一种硅片表面助焊剂的清洗方法

说明书

本发明公开了一种硅片表面助焊剂的清洗方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：在硅片表面覆盖一层助焊剂；在氮气保护下，对覆盖有助焊剂的硅片进行烘烤；在氮气保护下，对烘烤后的硅片烧结；将烧结后的硅片依次置于清洗剂和清水中进行超声清洗；将完成超声清洗的硅片置于卧式清洗机中进行清洗与烘干。解决了清洗剂使用量大、清洗效果较差的问题，减少了清洗剂的使用量，提高了清洗效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种硅片表面助焊剂的清洗方法。

背景技术

在半导体制造流程中，器件在封装的时候要求硅片表面具有良好的可焊性，以便器件与引脚之间能够充分接触。硅片表面金属化通常是通过化学镀镍磷合金，但是磷的含量会影响硅片表面的可焊性，在实际生产中，除了控制磷含量外，还需要对硅片表面进行可焊性的预处理。

目前使用的预处理方法主要是将表面覆盖助焊剂的硅片放置在高温的炉管中，在氮气保护下烧结，然后将硅片放置在卧式清洗机中，通过泵将清洗剂打入腔体中，硅片在清洗剂中进行助焊剂的清洗，完成后抽走腔体中的清洗剂，对硅片进行热水清洗和烘干。但是该方法在清洗时清洗剂的使用量大，清洗效果较差。

发明内容

本发明针对上述问题及技术需求，提出了一种硅片表面助焊剂的清洗方法。

本发明的技术方案如下：

一种硅片表面助焊剂的清洗方法，包括如下步骤：

在硅片表面覆盖一层助焊剂；

在氮气保护下，对覆盖有助焊剂的硅片进行烘烤；

在氮气保护下，对烘烤后的硅片烧结；

将烧结后的硅片依次置于清洗剂和清水中进行超声清洗；

将完成超声清洗的硅片置于卧式清洗机中进行清洗与烘干。

其进一步的技术方案为：所述在硅片表面覆盖一层助焊剂，包括：

通过升降装置将所述硅片浸没到助焊剂中；

通过升降装置将所述硅片从所述助焊剂中取出，在所述硅片的表面覆盖一层所述助焊剂。

其进一步的技术方案为：所述在氮气保护下，对覆盖有助焊剂的硅片进行烘烤，包括：

将烤箱的温度设置为70℃~90℃，氮气流量设置为20L/min~30L/min；

将所述覆盖有助焊剂的硅片置于所述烤箱中烘烤9.5min~10.5min。

其进一步的技术方案为：所述在氮气保护下，对烘烤后的硅片烧结，包括：

将炉管的温度设置为305℃~315℃，氮气流量设置为38.5L/min~41.3L/min；

将所述烘烤后的硅片置于所述炉管中烧结。

其进一步的技术方案为：所述将烧结后的硅片依次置于清洗剂和清水中进行超声清洗，包括：

将所述烧结后的硅片置于超声清洗机中；

设置超声发生器的功率对应的电流为1.2A~1.5A；

使用70℃~80℃的清洗剂清洗9min~11min；

使用55℃~65℃的热水清洗2.5min~3.5min。

其进一步的技术方案为：所述将完成超声清洗的硅片置于卧式清洗机中进行清洗与烘干，包括：

将所述完成超声清洗的硅片置于所述卧式清洗机中；