[发明专利]一种温度检测电路和闪存有效
申请号: | 201810230952.0 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN110310694B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 魏胜涛;王美锋;刘铭;邓龙利 | 申请(专利权)人: | 合肥格易集成电路有限公司;西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56;G11C29/50;G01K11/00 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 230601 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 检测 电路 闪存 | ||
本发明提供了一种温度检测电路和闪存。所述电路包括电源电压端、第一电阻、温度检测器、模数转换器和温度转换器;所述第一电阻的两端分别连接所述电源电压端和第一节点;所述温度检测器连接所述第一节点;所述温度检测器,用于根据环境温度和电源电压,在所述第一节点处产生第一电压;所述模数转换器分别连接所述第一节点和所述温度转换器;所述模数转换器,用于将所述模拟信号的第一电压转换为数字信号的第二电压,并将所述第二电压输入至所述温度转换器;所述温度转换器,用于将所述第二电压转换为对应的温度值。本发明实施例的温度检测电路适用于低电源电压的应用场景。
技术领域
本发明涉及存储设备技术领域,尤其涉及一种温度检测电路和闪存。
背景技术
BJT(Bipolar Junction Transistor,三极管)具有随环境温度升高,PN结电压下降的负压特性,因此,温度检测电路中常采用BJT检测环境温度。但是,BJT的PN结电压一般在0.7V左右,在低电源电压的应用场景下,比如电源电压为1.6V,除去结电压后的剩余电压余量很小,容易导致后续电路中的NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属-氧化物-半导体)管和PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor,P型金属-氧化物-半导体)管均无法导通,造成温度检测电路不能正常工作。因此,上述的温度检测电路不适用于低电源电压的应用场景。
发明内容
本发明实施例提供一种温度检测电路和闪存,以解决现有技术中采用BJT的温度检测电路不适用于低电源电压的问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种温度检测电路,所述电路包括电源电压端、第一电阻、温度检测器、模数转换器和温度转换器;
所述第一电阻的两端分别连接所述电源电压端和第一节点;
所述温度检测器连接所述第一节点;所述温度检测器,用于根据环境温度和电源电压,在所述第一节点处产生第一电压;
所述模数转换器分别连接所述第一节点和所述温度转换器;所述模数转换器,用于将所述模拟信号的第一电压转换为数字信号的第二电压,并将所述第二电压输入至所述温度转换器;
所述温度转换器,用于将所述第二电压转换为对应的温度值。
可选地,所述温度检测器包括依次连接的PTAT电流源、去除直流模块和电流放大模块;
所述PTAT电流源,用于根据所述环境温度产生第一电流;
所述去除直流模块,用于去除所述第一电流中的低温直流电流,产生第二电流;
所述电流放大模块,用于按照预设比例对所述第二电流进行放大产生第三电流,以使所述第一节点处根据所述第一电阻、所述第三电流和所述电源电压产生所述第一电压。
可选地,所述PTAT电流源包括放大器、第一晶体管、第二电阻和三极管;
所述放大器的第一输入端连接参考电压端,所述放大器的第二输入端连接第二节点,所述放大器的输出端连接所述第一晶体管的控制极;
所述第一晶体管的第一极连接所述电源电压端,所述第一晶体管的第二极连接所述第二节点;
所述第二电阻的两端分别连接所述第二节点和所述三极管的第一极;
所述三极管的第二极连接接地端,所述三极管的基极连接所述三极管第一极和第二极中的集电极。
可选地,所述去除直流模块包括第二晶体管、恒流源和第三晶体管;
所述第二晶体管的控制极连接所述第一晶体管的控制极,所述第二晶体管的第一极连接所述电源电压端,所述第二晶体管的第二极连接所述第三晶体管的第一极;
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