[发明专利]封装器件和封装器件的制造方法在审
申请号: | 201810231493.8 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN108336053A | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 蔡苗;杨道国;杨张平;王磊 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/498;H01L21/603 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊盘 封装器件 导电膜 基板 芯片 封装体 键合 焊料 贴合 封装固定 相对设置 键合处 键合面 异物 包覆 封装 压合 断裂 焊接 制造 变形 体内 清洁 保证 | ||
本发明提供了一种封装器件和封装器件的制造方法,封装器件包括:基板、芯片、导电膜和封装体;基板的一侧设置有第一焊盘;芯片包括第二焊盘;导电膜的一侧与第一焊盘相贴合,导电膜的另一侧与第二焊盘相贴合,第一焊盘与第二焊盘相对设置;封装体至少包覆于芯片与导电膜的外侧。封装器件的封装体内,芯片的第二焊盘与基板的第一焊盘通过导电膜键合,通过压合的方式使芯片、导电膜与基板紧密相结合,在封装体封装固定后位置相互固定。由于不使用引线和焊料,不需要对第一焊盘和第二焊盘使用焊料焊接,所以第一焊盘和第二焊盘的键合处不会出现键合冲丝,也不会产生键合断裂、变形等问题,加工过程中没有异物参与,进而保证键合面清洁。
技术领域
本发明涉及封装器件技术领域,具体而言,涉及一种封装器件和一种封装器件的制造方法。
背景技术
目前,在传统的封装技术中,键合的方式主要分为引线键合和倒装焊技术。虽然传统的引线键合以及倒装焊技术已经相当成熟,但依然存在诸多问题。首先成本方面而言,引线键合的工艺需要键合机,极细的金线,倒装焊需要对芯片预置焊点,这些都不可避免的复杂了工艺增加了设备、工序以及材料的成本。其次工艺方面,引线键合的键合间隙受制于契刀的尺寸,无法满足日益缩小的封装器件尺寸要求,特别是无法适用于新型封装技术,如扇出型晶元封装、系统级封装,并且键合丝封装时会产生冲丝,断裂形变等一系列问题。倒装焊技容易出现垂直方向的下坠和水平方向上的摇摆问题,特别对功率器件更是如此。最后可靠性方面而言,引线键合以及倒装焊在长期循环载荷的工作环境下,键合丝和预置焊点都会有相应的损伤,从而影响封装器件的可靠性。因此传统的键合形式无法满足封装器件日益提高的要求。为解决传统工艺技术的瓶颈和现有技术方案的不足,有必要开发一种加工流程简单、成品率高、成本低的工艺方法。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明的第一方面提出一种封装器件。
本发明的第二方面提出一种封装器件的制造方法。
有鉴于此,本发明的第一方面提供了一种封装器件,包括:基板、芯片、导电膜和封装体;基板的一侧设置有第一焊盘;芯片包括第二焊盘;导电膜的一侧与第一焊盘相贴合,导电膜的另一侧与第二焊盘相贴合,第一焊盘与第二焊盘相对设置;封装体至少包覆于芯片与导电膜的外侧。
本发明所提供的封装器件,芯片的第二焊盘与基板的第一焊盘通过导电膜键合,制造时将导电膜与基板需要安装芯片的一面相贴合,再将芯片与导电膜贴合,对芯片施予一定压力,通过压合的方式使芯片、导电膜与基板紧密相结合后封装,在封装体封装固化后,芯片、导电膜与基板的位置相互固定。该方法生产工艺简单,不需要昂贵的键合设备,减少了生产工序,可应用于微小型封装器件的生产。由于制造过程中不使用引线和焊料,不需要对第一焊盘和第二焊盘使用焊料焊接,所以第一焊盘和第二焊盘的键合处不会出现键合冲丝,也不会产生键合断裂、变形等问题,加工过程中没有异物参与,进而保证键合面清洁。同时通过压合的方式结合还能避免倒装焊技术处理时的高温处理步骤,芯片和基板都不会受热,避免了在热加载中产生大量热应力时芯片位置发生摇摆偏移的情况,并且在封装器件为功率器件时,避免了由于功率器件发热量较大,长时间使用导致封装体内积聚热量导致键合丝、焊点受损发生脱焊的情况。因此封装器件的良品率更高,使用中的可靠性也更好,同时生产工序简单,利于量产。
另外,本发明提供的上述技术方案中的封装器件还可以具有如下附加技术特征:
在上述技术方案中,优选地,导电膜包括:绝缘载体和导电体;导电体沿绝缘载体的厚度方向延伸。
在该技术方案中,在绝缘载体中沿绝缘载体的厚度间隔设置导电体来形成导电膜,使导电膜在厚度方向上通过导电体来导通电流,在芯片的第二焊盘与基板的第一焊盘分别贴合于导电膜的两侧时,实现芯片和基板的对应焊盘之间的电连接。
在上述任一技术方案中,优选地,多个导电体呈阵列式分布于绝缘载体上。
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