[发明专利]一种太阳能级硅片及其生产方法

权利要求书

1.一种太阳能级硅片，其特征在于，所述太阳能级硅片的至少一个表面上设有多个沟槽(1)；位于同一表面上的多个所述沟槽(1)之间相互平行，所述太阳能级硅片的上表面(2)和下表面(3)之间相互平行；

其中，每个所述沟槽(1)的形状为直线型、或曲线型；所述沟槽(1)的切面形状为弧形，弧形的弦长为0.1~0.4mm；

和/或，每个所述沟槽(1)的最大深度小于15，

和/或，相邻两个所述沟槽(1)相邻边缘之间的距离为0.1—0.8mm；

所述太阳能级硅片的技术参数为：

形状为方形，边长为156.75±0.25mm，厚度为200±20，单个微晶小于3×3mm²，整个微晶区域小于3×3cm²；

氧含量≤8.0×10¹⁷atoms/cm³，碳含量≤6.0×10 ¹⁷atoms/cm³，电阻率1～3Ω·cm，少子寿命≥1.0。

2.如权利要求1所述的太阳能级硅片，其特征在于，所述沟槽(1)设于所述太阳能级硅片的上表面(2)和下表面(3)。

3.如权利要求1－2中任一所述的太阳能级硅片，其特征在于，所述太阳能级硅片为矩形，所述矩形的四个角处设倒角(4)，

所述倒角(4)为直线倒角或圆弧倒角；

所述直线倒角的度数为30°－45°，尺寸为0.5－2mm。

4.一种太阳能级硅片的生产方法，包括如下步骤：使用金属丝对硅料进行切割，获得权利要求1－3中任一所述的太阳能级硅片；

其中，所述切割时，所述金属丝进行往返切割，回线率为70－97％。

5.如权利要求4所述的生产方法，其特征在于：所述金属丝为金刚线，

所述金刚线外径为65－75，

所述金刚线的金刚石颗粒粒径为6－10。

6.如权利要求4或5所述的生产方法，其特征在于：所述切割的线速为1000－1400m/min。

7.如权利要求4或5所述的生产方法，其特征在于：所述金属丝的张力为8－14牛顿；切割冷却液的温度为20－30℃；冷却水流量为100－150L/min。