[发明专利]一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料及其原位制备方法

权利要求书

1.一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料的原位制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S01：称取一定质量的碳化硅颗粒于烧杯中，加入去离子水和氨水进行充分搅拌，得到碳化硅浓度为0.5-20mg mL^-1的悬浮分散液；S02：将上述悬浮分散液置于冰浴超声槽中进行超声分散，同时用聚焦的脉冲激光束进行辐照；激光参数为：波长193nm-337nm，辐照频率5-10Hz，能量密度为0.5-0.9J pulse^-1cm^-2，辐照时间为10-50min；S03：辐照完成后，将悬浮液干燥，即得到氮掺杂絮状碳硅复合电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S01中，所用的碳化硅颗粒为无规则形状的单晶、多晶或无定形任意形态，粉末粒度为100μm以下。

3.根据权利要求1所述的一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S01中，所述加入氨水的量为0.046-0.23g mL^-1。

4.根据权利要求1所述的一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S02中，激光辐照过程中保持超声分散，超声功率为80-800W。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S02中，所采用的激光为波长193nm的氩氟激光、波长248nm的氪氟激光、波长308nm氙氯激光或波长337nm的氮激光。

6.根据权利要求5所述的一种氮掺杂絮状碳硅复合电极材料的原位制备方法，其特征在于，所述步骤S03中，干燥条件为冷冻干燥。

7.一种权利要求1-6任一项所述的原位制备方法制备得到的氮掺杂絮状碳硅复合电极材料。