[发明专利]用于处理半导体工件的方法和半导体装置

说明书

本发明涉及一种用于处理半导体工件的方法，其中该方法包含以下内容：在半导体工件的第一区域中形成沟槽结构，其中沟槽结构从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至第一深度；在第一区域的侧向旁边在半导体工件的第二区域中形成至少一个凹部，其中至少一个凹部从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至小于第一深度的第二深度；在半导体工件上形成至少一个材料层，其中至少一个材料层填充沟槽结构和至少一个凹部并且覆盖半导体工件的在第一区域中和在第二区域中的表面；和平坦化半导体工件，以便部分地去除在第一区域中的和在第二区域中的至少一个材料层，其中在沟槽结构中和在至少一个凹部中的至少一个材料层保留。

技术领域

一般而言，不同的实施方式涉及用于处理半导体工件的方法和半导体装置。

背景技术

一般而言，在半导体工业中可以使用各种不同的工艺来处理半导体工件，例如以用于制造半导体装置。半导体工件、例如芯片、晶片或任何其他合适的衬底可以通过层构建、结构化、掺杂、退火和诸如此类的来处理。为了形成或加工沟槽结构，例如可以使用化学机械抛光工艺（CMP工艺）或任何其他合适的工艺，以便使半导体工件的表面平坦化。这样的平坦化能够困难地整合到工艺过程中，因为例如在平坦化平面之上延伸的所有结构在平坦化期间被去除。这在必须考虑平坦化的情况下、特别是在平坦化平面例如为了形成半导体工件之内的沟槽结构或诸如此类的而到达半导体工件的主处理表面的情况下通常可能导致耗费的和复杂的处理过程。

发明内容

根据不同的实施方式提供一种用于处理半导体工件的方法，其中该方法包含以下内容：在半导体工件的第一区域中形成沟槽结构，其中沟槽结构从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至第一深度；在第一区域的侧向旁边在半导体工件的第二区域中形成至少一个凹部，其中所述至少一个凹部从半导体工件的表面延伸到半导体工件中直至小于第一深度的第二深度；在半导体工件上施加至少一个材料层，其中所述至少一个材料层填充所述沟槽结构和所述至少一个凹部并且覆盖半导体工件的在第一区域和第二区域中的表面。该方法还可以包含半导体工件的平坦化，以便部分地去除在第一区域和第二区域中的至少一个材料层，其中在沟槽结构和至少一个凹部中的至少一个材料层保留。

附图说明

一般而言，在附图中，通过不同视角的相同的附图标记涉及相同的部件。附图不必严格按照比例，代替于此，一般强调本发明原理的展示。在随后的描述中，本发明的不同实施方式参考以下附图予以描述，其中：

图1示出根据不同实施方式的用于处理半导体工件的方法的示意性流程图；

图2A至2D示出根据不同实施方式的在处理期间的不同阶段处的半导体工件；

图3A至3C示出根据不同实施方式的在处理期间的不同阶段处的半导体工件；

图4A至4C示出根据不同实施方式的在处理期间的不同阶段处的半导体工件；

图5A至5D示出根据不同实施方式的在处理期间的不同阶段处的半导体工件；

图6A至6B示出根据不同实施方式的在处理期间的不同阶段处的半导体工件；

图7A至7D示出根据不同实施方式的在处理期间的不同阶段处的半导体工件；

图8A至8D示出根据不同实施方式的在处理期间的不同阶段处的半导体工件；

图9A至9D分别示出根据不同实施方式的在示意性横截面图下的包含半导体工件的半导体装置；

图9E示出根据不同实施方式的在示意性横截面图下的半导体装置的功率半导体结构；以及

图10A至10E分别示出根据不同实施方式的在示意性横截面图下的包含半导体工件的半导体装置。

具体实施方式