[发明专利]一种基于图像分割算法的半导体芯片溢料快速检测方法有效

专利信息
申请号: 201810235175.9 申请日: 2018-03-21
公开(公告)号: CN108596875B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 赵春晖;王晶 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/11;G06T7/136;G06T7/90;G06T7/44
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 黄欢娣;邱启旺
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 图像 分割 算法 半导体 芯片 快速 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种基于图像分割算法的半导体芯片溢料快速检测方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

(1)利用工业相机获取封装原片的多帧灰度图像;

(2)对每帧图像进行高斯模糊预处理;

(3)基于选择性搜索的图像分割,得到数百个候选区域并从中筛选出待分析芯片区域,该步骤由以下子步骤来实现:

(3.1)对单帧图像进行过分割,分割得到n个初始区域r1,r2,...,rn,构成初始区域集合R={r1,r2,...,rn};同时,构建一个初始化相似度集合S,

(3.2)计算每两个相邻区域的相似度s(ri,rj),相似度指标采取颜色相似度,尺寸相似度,纹理相似度,吻合相似度,四种互补的相似度,分别从不同方面对区域进行合并;

(a)颜色相似度的计算方法如下:

对每个初始区域按照像素值划分为e个区间,得到归一化颜色直方图其中,表示第i个初始区域中第l个像素值区间的归一化频数;

两个相邻区域ri,rj的颜色相似度为:

合并ri,rj得到的新区域rij,其颜色直方图为:

size(rij)=size(ri)+size(rj) (4)

其中size(ri)为初始区域ri的尺寸;

(b)纹理相似度的计算方法为:

对每个初始区域,计算其SIFT(scale-invariant feature transform)特征,得到得到作为纹理特征,v为纹理特征的个数;其中,表示第i个初始区域中第l个纹理特征;

两个相邻区域ri,rj的纹理相似度为:

合并ri,rj得到的新区域rij,其纹理直方图为

(C)尺寸相似度的计算方法为:

其中size(im)表示整个灰度图像的尺寸;

(d)吻合相似度的计算方法为:

其中BBij为仅包围区域ri和rj的边界盒;

最终将四个相似度综合起来得到最终的相似度:

s(ri,rj)=a1Scolor(ri,rj)+a2Stexture(ri,rj)+a3Ssize(ri,rj)+a4Sfill(ri,rj) (9)

其中am∈{0,1},m=1,2,3,4,表明对应相似度是否被采用;

(3.3)所有的相似度构成相似度集合S,相似度集合中相似度最大的两个相邻区域s(ri,rj)=max(S),将这两个区域合并rij=ri∪rj,计算新的区域rij与相邻区域的相似度,更新相似度集合:删除其中与被合并的区域ri相关的所有相似度s(ri,r*),以及与被合并的区域rj相关的所有相似度s(rj,r#),加入更新后的相似度集合为:加入新的区域rij与相邻区域的相似度;

(3.4)循环步骤(3.2)-(3.3),当相似度集合S为空集时,循环结束;完成初始区域的合并,得到候选区域集合R;

(3.5)从候选区域集合R中筛选出上下两个待分析芯片区域,使得待分析区域尺寸在封装原片尺寸的三分之一到二分之一范围内,同时两个待分析区域需要分别包含和这4个关键几何点,封装原片的分辨率为a*b;

(4)对筛选出的待分析区域进行基于阈值的图像分割,该步骤通过以下子步骤来实现:

(4.1)计算待分析区域的归一化直方图;令{0,1,...,L-1}表示大小为M*N像素的区域图像中的L个不同的灰度级,nz表示灰度级为z的像素个数;区域图像中的像素总数为MN=n0+n1+n2+...+nL-1,pz=nz/MN表示该直方图中的灰度级为z的归一化频数,z=0,1,2,...,L-1;

(4.2)对于u=0,1,2,...,L-1,计算累计和P1(u),计算公式如下:

(4.3)对于u=0,1,2,...,L-1,计算累计均值m(u),计算公式如下:

(4.4)计算全局灰度均值mG,计算公式如下:

(4.5)对于u=0,1,2,...,L-1,计算类间方差计算公式如下:

(4.6)通过使得目标函数(13)取得最大值,得到Otsu阈值u*,如果最大值不唯一,用相应检测到的各个最大值u的平均得到u*

(4.7)基于最佳阈值u*利用如下公式对区域图像进行分割,得到分割后图像:

f(x,y)为待分析区域图像中像素点(x,y)的像素;分割后像素点为1的代表检测出来的生产过程中的溢料部分。

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