[发明专利]改变储存参数有效
申请号: | 201810236115.9 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN108958646B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | A.李;Y-C.陈;A.科赫;G.卡塔瓦拉;M.科恰尔 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改变 储存 参数 | ||
1.一种储存设备,包括:
集成电路存储器元件,配置为:
在双倍数据速率模式中的一个或多个时钟循环的第一集期间,接收命令以改变与所述集成电路存储器元件相关联的参数的值,所述参数包括所述集成电路存储器元件的一个或多个储存操作的设定;
在所述一个或多个时钟循环的第一集之后的一个或多个时钟循环的第二集期间,接收具有所述命令的一个或多个数据集,所述一个或多个时钟循环的第二集在与所述一个或多个时钟循环的第一集相同的双倍数据速率模式下操作,所述一个或多个数据集中的数据集包括识别要改变的参数的掩码和所述参数的新值;以及
对于所述一个或多个数据集中的每一个,将所述参数的新值写入到与所述参数相关联的储存位置。
2.根据权利要求1所述的储存设备,其中接收具有所述命令的所述一个或多个数据集包括,在紧接在接收所述命令的最终时钟循环之后的时钟循环的开始时接收所述一个或多个数据集。
3.根据权利要求1所述的储存设备,其中所述集成电路存储器元件还配置为,在将所述一个或多个数据集中的每一个的新值写入到与每个正被改变的参数相关联的所述储存位置之前,将所述一个或多个数据集储存在与所述集成电路存储器元件相关联的一个或多个数据锁存器中。
4.根据权利要求3所述的储存设备,其中所述一个或多个接收的数据集中的每一个在被储存在所述一个或多个锁存器中之前被格式化为位串。
5.根据权利要求4所述的储存设备,其中所述集成电路存储器元件还配置为,接收表示包括储存在所述一个或多个锁存器中的位串的数据集的数目的值。
6.根据权利要求3所述的储存设备,其中所述集成电路存储器元件还配置为,在不被置于测试模式的情况下,存取所述一个或多个数据锁存器中储存的一个或多个数据集,并且将所述一个或多个数据集中的每一个的新值写入到与每个参数相关联的所述储存位置。
7.根据权利要求1所述的储存设备,其中在每个数据集的接收之间没有时间延迟的情况下接收所述一个或多个数据集。
8.根据权利要求1所述的储存设备,其中在每个数据集的接收之间没有一个或多个附加时钟循环的情况下接收所述一个或多个数据集。
9.根据权利要求1所述的储存设备,其中所述掩码包括位掩码,所述位掩码用于确定多个参数中的应改变到所述新值的一个或多个参数。
10.根据权利要求9所述的储存设备,其中由与标识相关联的位串表示所述多个参数,所述位串中的每个位表示参数的至少一部分,所述集成电路存储器元件还配置为使用所述位串和所述位掩码来进行逻辑操作,以确定由所述位串的位所表示的哪些参数应被改变到所述新值。
11.根据权利要求1所述的储存设备,其中所述集成电路存储器元件在被置于测试模式之后接收所述命令,所述测试模式包括所述集成电路存储器元件的用于接收所述集成电路存储器元件的储存操作相关联的管理命令的模式。
12.一种储存系统,包括:
非易失性存储器介质,所述非易失性存储器介质在触发模式中执行;以及
控制器,所述控制器配置为:
在所述触发模式中接收多个数据元组,所述多个数据元组用于改变所述非易失性存储器介质的储存操作设定的值,每个数据元组包括设定组的地址、识别所述设定组中的哪个设定要被改变的掩码以及所识别的设定的值,在接收所述多个数据元组中的每个数据元组之间没有延迟的情况下接收所述多个数据元组;以及
将所述数据元组的值编程到由所述数据元组的掩码所识别的所述非易失性存储器介质的设定。
13.根据权利要求12所述的储存系统,其中所述控制器还配置为,在接收改变所述储存操作设定的值的指令之后接收所述多个数据元组。
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