[发明专利]氮化碳薄膜场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810236465.5 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108511530B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王心晨;方元行;陈惠鹏;李晓春 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;李翠娥 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 场效应 晶体管 | ||
1.氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底；
氮化碳的前驱体包括三聚氰胺，三聚硫氰酸，尿素，硫脲，氨基硫脲，硫氰酸氨，草酰氨，甲基胍胺，二聚氰胺中的一种或几种；在氮化碳的前驱体中引入具有给电子或吸电子能力的单体化合物来改变氮化碳的半导体特性，所述的具有给电子或吸电子能力的单体化合物包括苯环、吡啶、噻吩、二氨基马来腈中的一种；具有给电子或吸电子能力的单体化合物的加入量为氮化碳的前驱体的0.01 wt%-10 wt%。
2.如权利要求1所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：所述氮化碳沟道层的制备方法为：将氮化碳的前驱体装入耐高温反应器中，将衬底置于反应器出口，介质层面朝出口；通过气相升华原位聚合法，在衬底上沉积氮化碳薄膜。
3.如权利要求1所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：所述的介质层的厚度≤100纳米。
4.如权利要求1所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：所述的介质层材料包括SiO2、SiN、Al2O3中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：所述源极与所述氮化碳沟道层形成欧姆接触。
6.如权利要求1所述的氮化碳薄膜场效应晶体管，其特征在于：所述漏极与所述氮化碳沟道层形成欧姆接触。
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