[发明专利]高电压晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种高电压晶体管，其特征在于，包括:

基板，具有凹陷区域；

掺杂区域，在所述基板中位于所述凹陷区域的两侧；

浅沟槽隔离结构，在所述基板的所述掺杂区域中，位于所述凹陷区域的周围区域，其中所述浅沟槽隔离结构的底部在所述凹陷区域内的一部分，有往所述基板凸出的凸出部；

栅极绝缘层，在所述基板上，位于在所述凹陷区域内所述浅沟槽隔离结构以外的中心区域，其中所述栅极绝缘层有凸出部分；以及

栅极结构，在所述栅极绝缘层上以及在所述凹陷区域内的所述浅沟槽隔离结构上，覆盖所述栅极绝缘层的所述凸出部分。

2.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层与所述浅沟槽隔离结构是合并在一起。

3.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的所述凸出部分的顶端是低于在所述凹陷区域以外的所述基板的表面。

4.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述掺杂区域包含掺杂基础区域以及重掺杂区域，所述重掺杂区域是在所述掺杂区域的顶端，且相对于所述栅极结构是在所述浅沟槽隔离结构的外边，所述掺杂基础区域以及所述重掺杂区域是第一导电型。

5.根据权利要求4所述的高电压晶体管，其特征在于，还包含掺杂阱区，围绕所述掺杂区域，其中所述掺杂阱区是第二导电型，与所述第一导电型相反。

6.根据权利要求4所述的高电压晶体管，其特征在于，还包含一般性浅沟槽隔离结构在所述基板中，位于所述掺杂区域的周边，用以隔离所述掺杂区域。

7.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述栅极结构的顶端依据所述凹陷区域的深度而下降。

8.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述栅极结是有似形帽盖，覆盖在所述栅极绝缘层。

9.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的所述凸出部依据所述基板的所述凹陷区域的深度，而具有凸出深度。

10.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的所述凸出部有凸出深度，其中所述凸出部的所述凸出深度相对于所述浅沟槽隔离结构的深度的比值是在1/4到1/6的范围。

11.根据权利要求1所述的高电压晶体管，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的所述凸出部有一宽度，所述凸出部的所述宽度相对于所述浅沟槽隔离结构的宽度的比值是在1/2到1/5的范围。

12.一种制造高电压晶体管的方法，其特征在于，包括:

提供基板，所述基板具有凹陷区域；

形成浅沟槽隔离结构在所述基板中，位于所述凹陷区域的周围区域，其中所述浅沟槽隔离结构的底部在所述凹陷区域内的一部分，有往所述基板凸出的凸出部；

形成栅极绝缘层，在所述基板上，位于在所述凹陷区域内所述浅沟槽隔离结构以外的中心区域，其中所述栅极绝缘层有凸出部分；

形成栅极结构，在所述栅极绝缘层上以及在位于所述凹陷区域内的所述浅沟槽隔离结构上，覆盖所述栅极绝缘层的所述凸出部分；以及

形成掺杂区域，在所述基板中位于所述凹陷区域的两侧，围绕浅沟槽隔离结构。

13.根据权利要求12所述的制造高电压晶体管的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层与所述浅沟槽隔离结构是合并在一起。

14.根据权利要求12所述的制造高电压晶体管的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的所述凸出部分的顶端是低于在所述凹陷区域以外的所述基板的表面。